本发明涉及热流调制器件技术领域，尤其涉及一种基于p‑n结的近场辐射热流调制器，包括：依次设置的第一金属层、p型半导体层、n型半导体层和第二金属层；其中，p型半导体层和n型半导体层之间存在微纳米量级的真空间隙，用于实现辐射换热；第一金属层连接直流电源的正极，第二金属层连接直流电源的负极，构成电极对，用于对p型半导体层和n型半导体层施加统一的电场。本发明提供的近场辐射热流调制器能够建立连续的热流‑电压关系，调节范围大，易于实现。