一种可通过电压调节等效发射率的热控皮肤及其在航天器中的应用

    公开(公告)号:CN109870863A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201910299103.5

    申请日:2019-04-15

    IPC分类号: G02F1/153 G02F1/161

    摘要: 本发明涉及一种可通过电压调节等效发射率的热控皮肤及其在航天器中的应用。所述热控皮肤从下至上包括基底、内层、外层和保护层,并且内层和外层之间具有间隔物,所述间隔物使内层和外层之间形成有间距为微纳米量级的真空间隙;所述内层和/或所述外层中包含金属-绝缘体-半导体结构,且在结构中的半导体和金属之间加载直流可调电压;所述保护层具有高红外发射率或同时具有高红外发射率和低太阳光谱吸收率。这一热控皮肤一方面具有良好的空间环境适应性,解决了电致变色材料因直接暴露于太空环境而产生的性能退化问题,另一方面能提供较大的发射率调节范围,可以应用在航天器中。

    一种基于p-n结的近场辐射热流调制器

    公开(公告)号:CN114442340B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202210047803.7

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: G02F1/00

    摘要: 本发明涉及热流调制器件技术领域,尤其涉及一种基于p‑n结的近场辐射热流调制器,包括:依次设置的第一金属层、p型半导体层、n型半导体层和第二金属层;其中,p型半导体层和n型半导体层之间存在微纳米量级的真空间隙,用于实现辐射换热;第一金属层连接直流电源的正极,第二金属层连接直流电源的负极,构成电极对,用于对p型半导体层和n型半导体层施加统一的电场。本发明提供的近场辐射热流调制器能够建立连续的热流‑电压关系,调节范围大,易于实现。

    一种基于近场热辐射的热致相变热控皮肤及其在航天器中的应用

    公开(公告)号:CN110079774B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201910245668.5

    申请日:2019-03-28

    摘要: 本发明涉及一种基于近场热辐射的热致相变热控皮肤及其在航天器中的应用。该热致相变热控皮肤,从下至上包括基底、内层膜系、外层膜系和保护层,并且内层膜系和外层膜系之间具有间隔物,所述间隔物使内层膜系和外层膜系之间形成有间距为微纳米量级的真空间隙;和所述内层膜系包含由热致相变材料组成的热致相变膜层;所述保护层具有高红外发射率或同时具有高红外发射率和低太阳光谱吸收率。这一热致相变热控皮肤一方面具有良好的空间环境适应性,解决了相变材料因直接暴露于太空环境而产生的性能退化问题,另一方面能提供窄温区内较大的发射率调节范围,可以应用在航天器中。

    一种可通过电压调节等效发射率的热控皮肤及其在航天器中的应用

    公开(公告)号:CN109870863B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201910299103.5

    申请日:2019-04-15

    IPC分类号: G02F1/153 G02F1/161

    摘要: 本发明涉及一种可通过电压调节等效发射率的热控皮肤及其在航天器中的应用。所述热控皮肤从下至上包括基底、内层、外层和保护层,并且内层和外层之间具有间隔物,所述间隔物使内层和外层之间形成有间距为微纳米量级的真空间隙;所述内层和/或所述外层中包含金属‑绝缘体‑半导体结构,且在结构中的半导体和金属之间加载直流可调电压;所述保护层具有高红外发射率或同时具有高红外发射率和低太阳光谱吸收率。这一热控皮肤一方面具有良好的空间环境适应性,解决了电致变色材料因直接暴露于太空环境而产生的性能退化问题,另一方面能提供较大的发射率调节范围,可以应用在航天器中。

    一种基于近场热辐射的热致相变热控皮肤及其在航天器中的应用

    公开(公告)号:CN110079774A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910245668.5

    申请日:2019-03-28

    摘要: 本发明涉及一种基于近场热辐射的热致相变热控皮肤及其在航天器中的应用。该热致相变热控皮肤,从下至上包括基底、内层膜系、外层膜系和保护层,并且内层膜系和外层膜系之间具有间隔物,所述间隔物使内层膜系和外层膜系之间形成有间距为微纳米量级的真空间隙;和所述内层膜系包含由热致相变材料组成的热致相变膜层;所述保护层具有高红外发射率或同时具有高红外发射率和低太阳光谱吸收率。这一热致相变热控皮肤一方面具有良好的空间环境适应性,解决了相变材料因直接暴露于太空环境而产生的性能退化问题,另一方面能提供窄温区内较大的发射率调节范围,可以应用在航天器中。

    一种基于p-n结的近场辐射热流调制器

    公开(公告)号:CN114442340A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210047803.7

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: G02F1/00

    摘要: 本发明涉及热流调制器件技术领域,尤其涉及一种基于p‑n结的近场辐射热流调制器,包括:依次设置的第一金属层、p型半导体层、n型半导体层和第二金属层;其中,p型半导体层和n型半导体层之间存在微纳米量级的真空间隙,用于实现辐射换热;第一金属层连接直流电源的正极,第二金属层连接直流电源的负极,构成电极对,用于对p型半导体层和n型半导体层施加统一的电场。本发明提供的近场辐射热流调制器能够建立连续的热流‑电压关系,调节范围大,易于实现。