本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。