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公开(公告)号：CN114551574B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210189091.2
申请日：2022-02-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
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公开(公告)号：CN112260664A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011209599.1
申请日：2020-11-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 一种数字滤波器和应用数字滤波器的高压驱动电路，数字滤波器中状态采集单元在两个输入信号都为第一状态时输出状态信号为噪声状态，在两个输入信号都为第二状态时输出状态信号为非噪声状态，其余情况输出状态信号保持；信号处理单元用于在第一输入信号为第二状态时输出第二状态的滤波输出信号，在两个输入信号都为第一状态时输出滤波输出信号保持上一状态，在第一输入信号为第一状态且第二输入信号为第二状态时根据状态信号产生滤波输出信号，当状态信号为噪声状态输出第二状态的滤波输出信号，当状态信号为非噪声状态输出第一状态的滤波输出信号。将本发明的数字滤波器应用于高压驱动电路中能消除由电平移位模块产生的共模噪声与差模噪声。
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公开(公告)号：CN112260664B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011209599.1
申请日：2020-11-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 一种数字滤波器和应用数字滤波器的高压驱动电路，数字滤波器中状态采集单元在两个输入信号都为第一状态时输出状态信号为噪声状态，在两个输入信号都为第二状态时输出状态信号为非噪声状态，其余情况输出状态信号保持；信号处理单元用于在第一输入信号为第二状态时输出第二状态的滤波输出信号，在两个输入信号都为第一状态时输出滤波输出信号保持上一状态，在第一输入信号为第一状态且第二输入信号为第二状态时根据状态信号产生滤波输出信号，当状态信号为噪声状态输出第二状态的滤波输出信号，当状态信号为非噪声状态输出第一状态的滤波输出信号。将本发明的数字滤波器应用于高压驱动电路中能消除由电平移位模块产生的共模噪声与差模噪声。
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公开(公告)号：CN113890517A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111150490.X
申请日：2021-09-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K5/26
摘要： 本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种模拟频率比较器。该频率比较器包含有：占空比转换模块用来将输入占空比不固定的输入信号转换为占空比固定的二分频信号；频率电压转换模块用来产生峰值电压与输入信号频率成反比的三角波信号；参考电压基准用于产生电压基准信号；比较器用于比较三角波信号与参考电压基准信号的大小；D触发器用于输出三角波信号峰值电压与参考电压基准信号的比较结果，并依据该输出电压电平来决定第一信号频率与固定参考频率之间的频率关系。
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公开(公告)号：CN114551574A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210189091.2
申请日：2022-02-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
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公开(公告)号：CN113594256A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110951397.2
申请日：2021-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/552
摘要： 本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si‑SiO2的复合中心，可以减小电子空穴对的碰撞电离，能够让粒子束轨迹上的非平衡载流子快速复合，从而减小了瞬态电流的脉宽，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。
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公开(公告)号：CN113594256B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110951397.2
申请日：2021-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/552
摘要： 本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si‑SiO2的复合中心，可以减小电子空穴对的碰撞电离，能够让粒子束轨迹上的非平衡载流子快速复合，从而减小了瞬态电流的脉宽，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。
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