本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。