- 专利标题: 具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法
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申请号: CN202210175016.0申请日: 2022-02-25
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公开(公告)号: CN114552387B公开(公告)日: 2024-07-19
- 发明人: 吴烈飞
- 申请人: 安徽格恩半导体有限公司
- 申请人地址: 安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
- 专利权人: 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人: 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
- 代理机构: 北京文慧专利代理事务所
- 代理商 戴丽伟
- 主分类号: H01S5/20
- IPC分类号: H01S5/20 ; H01S5/028 ; H01S5/32 ; H01S5/323
摘要:
本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法,n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上,P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条,脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层;第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面,位于脊条的两侧,第二钝化层置于第一钝化层上表面;第二钝化层上开设有凹槽,凹槽包括相通的竖槽和横槽,横槽内设置有第一金属层,在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极,P电极具有与竖槽相对应的凸起部,竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力,提高了金属电极与钝化层的附着力,改善散热性能。
公开/授权文献
- CN114552387A 具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法 公开/授权日:2022-05-27