具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法
摘要:
本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法,n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上,P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条,脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层;第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面,位于脊条的两侧,第二钝化层置于第一钝化层上表面;第二钝化层上开设有凹槽,凹槽包括相通的竖槽和横槽,横槽内设置有第一金属层,在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极,P电极具有与竖槽相对应的凸起部,竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力,提高了金属电极与钝化层的附着力,改善散热性能。
0/0