一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器
摘要:
本发明涉及基本电气元件领域,具体涉及一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器,包括衬底、MgGa2O4薄膜层、低功函电极层和高功函电极层,所述MgGa2O4薄膜层附着在衬底上部,所述低功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部、所述高功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部,且位于所述低功函电极层的一侧。本发明的衬底可选择性大,MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力,易于实现大面积、低成本、批量生产。
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