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公开(公告)号：CN114582994A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210208272.5
申请日：2022-03-04
申请人： 仲恺农业工程学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/20
摘要： 本发明涉及基本电气元件领域，具体涉及一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器，包括衬底、MgGa2O4薄膜层、低功函电极层和高功函电极层，所述MgGa2O4薄膜层附着在衬底上部，所述低功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部、所述高功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部，且位于所述低功函电极层的一侧。本发明的衬底可选择性大，MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，易于实现大面积、低成本、批量生产。
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公开(公告)号：CN114477993A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210081667.3
申请日：2022-01-24
申请人： 仲恺农业工程学院
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01L33/28
摘要： 本发明涉及锌的化合物技术领域，具体涉及一种ZnO材料及其基本性质研究方法和应用，ZnO材料按重量计，包括氧化锌85～95份、二氧化硅1～2份、二氧化钛0.5～2份、氧化铝0.2～1份、氧化钇0.1～0.4份、氧化铁0.1～0.5份和硫化锌2.5～5份；ZnO材料的制备方法包括按比例准备各种原材料，并将各种原材料进行粉碎得到粉体；将各种原材料粉体进行混合，混合过程中加入润滑剂，混合后进行球磨，制得球磨粉体；将球磨粉体烘干后进行预烧，制得预烧粉末；将预烧粉末压制成胚体，而后将胚体放置在900℃～1200℃下，保温3～6h，冷却后制得ZnO材料；以硫化锌与氧化钇作为烧结助剂，显著的降低了ZnO材料的电阻率。
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公开(公告)号：CN114472334A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210151824.3
申请日：2022-02-18
申请人： 仲恺农业工程学院
摘要： 本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种ZnO薄膜制备工艺及装置，包括输送组件、清洗组件和风干组件，输送组件包括支撑台、两条第一输送线和第一清洗器，清洗组件包括移动器、升降器、清洗头和多个吸嘴，使用时将基片放置到两个第一输送线之间进行输送，当移动到第一清洗器上方时，通过升降器带动清洗头下移对基片进行清洗，然后启动吸嘴将基片吸起，升降器上移，然后启动第一清洗器对基片的下部进行清洗，然后移动移动器将基片送出，使得可以更加方便地对基片进行全方位的清洗，从而可以提高清洗效率。
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公开(公告)号：CN114361276A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111627532.4
申请日：2021-12-28
申请人： 仲恺农业工程学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/20 , H04B10/25 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/00 , C25D5/02 , C25D5/18 , C25D7/12
摘要： 本发明涉及光伏探测技术领域，具体涉及一种非晶MgGaO薄膜的光伏探测器及其制备方法和应用，包括利用金属有机化合物化学气相沉积法使有机镁化合物、有机镓化合物和氧源在衬底的表面生长MgGaO薄膜；在MgGaO薄膜上形成叉指电极；在叉指电极上按压In粒，得到MgGaO光伏探测器，使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGaO薄膜，使MgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭的优点，解决了传统的制备方法所制备的MgGaO薄膜晶体质量不高，缺陷态较多的问题。
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公开(公告)号：CN114203841A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535593.8
申请日：2021-12-15
申请人： 仲恺农业工程学院
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及MgZnO薄膜带隙调节技术领域，具体涉及一种MgZnO薄膜及其带隙调节方法和应用，包括如下步骤，根据MgZnO薄膜的SEM图、AFM图、EDS图观察MgZnO薄膜；基于ALD技术低温生长技术获得MgZnO薄膜，并制备平面光电导型探测器；采用半导体参数分析仪测试平面光电导型探测器的特性；对器件进行光响应的开关测试；经过退货处理的样品进行透射谱测试分析，确定器件是否具有光谱选择性，如此能够避免薄膜出现分相。
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公开(公告)号：CN114589152A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210199666.9
申请日：2022-03-02
申请人： 仲恺农业工程学院
摘要： 本发明涉及纳米材料制造设备技术领域，具体公开了一种纳米ZnO的化学制备方法及装置，包括清洗筒、支撑柱、安装基座、电机、搅拌组件、观察板、排液组件和排氧化锌组件，每根支撑柱分别与清洗筒固定连接，并分别位于清洗筒的下方，每个安装基座分别与对应的支撑柱固定连接，且电机的输出端贯穿清洗筒并与搅拌组件固定连接，清洗筒具有开口，贯穿板与清洗筒固定连接，并嵌于开口的内部，排液组件与清洗筒连通，并位于清洗筒的外表壁，排氧化锌组件与清洗筒连通，并位于清洗筒的下端。以上结构的设置，可以减少人工对氧化锌的接触，同时在清洗筒内部，可以减少氧化锌的浪费。
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公开(公告)号：CN114455625A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210134813.4
申请日：2022-02-14
申请人： 仲恺农业工程学院
摘要： 本发明涉及氧化锌制备技术领域，具体公开了一种纳米材料氧化锌的制备方法及装置，包括工作架、两块竖板、沉淀桶、清洗机构和热解箱，两块竖板均与工作架固定连接，沉淀桶均与两块竖板转动连接，清洗机构包括电机、盖板、两根连接杆、滚筒刷、安装块、多组刮除组件、管体和阀门，盖板与沉淀桶拆卸连接，安装块设置有多个凹槽，每个凹槽内均设置有刮除组件，每组刮除组件包括弹簧和第一刮片，弹簧设置在对应的凹槽内，弹簧的一端与安装块固定连接，弹簧的另一端与对应的第一刮片固定连接，管体与沉淀桶连通，阀门安装在管体上，热解箱与工作架固定连接，通过上述结构设置，以此能够更方便的对沉淀桶进行清洗。
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公开(公告)号：CN114589152B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210199666.9
申请日：2022-03-02
申请人： 仲恺农业工程学院
摘要： 本发明涉及纳米材料制造设备技术领域，具体公开了一种纳米ZnO的化学制备方法及装置，包括清洗筒、支撑柱、安装基座、电机、搅拌组件、观察板、排液组件和排氧化锌组件，每根支撑柱分别与清洗筒固定连接，并分别位于清洗筒的下方，每个安装基座分别与对应的支撑柱固定连接，且电机的输出端贯穿清洗筒并与搅拌组件固定连接，清洗筒具有开口，贯穿板与清洗筒固定连接，并嵌于开口的内部，排液组件与清洗筒连通，并位于清洗筒的外表壁，排氧化锌组件与清洗筒连通，并位于清洗筒的下端。以上结构的设置，可以减少人工对氧化锌的接触，同时在清洗筒内部，可以减少氧化锌的浪费。
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公开(公告)号：CN114620764A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210220570.6
申请日：2022-03-08
申请人： 仲恺农业工程学院
摘要： 本发明涉及基本电气元件领域，具体涉及一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用，所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm，MgGa2O4是MgO和Ga2O3的复合氧化物，具有尖晶石结构，属于直接带隙半导体，禁带宽度在4.9‑7.8eV之间，在原理上可以应用于158‑253nm范围内的紫外光电器件。MgGa2O4与ZnMgO相比，可以避免结构分相问题；MgGa2O4与Ga2O3相比，可以实现电学特性调控，提升导电性。又由于MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，较低的暗电流等优势。
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公开(公告)号：CN114381712A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210056241.2
申请日：2022-01-18
申请人： 仲恺农业工程学院
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及技术领域，具体涉及一种原子层沉积MgZnO薄膜及其研究方法和应用，由如下组分进行反应制得：H2O、二乙基锌Zn(CH2CH3)2(DEZn)、一路镁源、二茂镁Mg(C5H5)2(CP2Mg)；对Hr‑ZnO衬底进行生长前表面的氧辅助的离子体预处理；二乙基锌DEZn被通入生长腔室，并在Hr‑ZnO衬底表面发生自限表面化学吸附并形成Zn(CH2CH3)*表面态；随后与通入的氧源前驱体H2O进行反应，产生ZnOH*；将反应副产物CH3CH3和余量的前驱体源清除，将镁前躯体CP2Mg与产生的表面态ZnOH*反应得到新的表面态Mg(C5H5)*；将表面态Mg(C5H5)*与通入的前驱体H2O反应获得MgOH*，将MgZnO薄膜表面喷Pt(3nm)处理之后通过EDS能谱分析来进行薄膜的成分的定性及定量分析，可得薄膜的组分。
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