本发明涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件，在N型外延层内设有纵向沟槽，所述纵向沟槽将MOSFET器件表面分割成多个元胞区域，每个所述元胞区域内的所述N型外延层上设有P型体区，所述P型体区在所述N型外延层的注入深度大于所述纵向沟槽的深度，每个所述元胞区域内除P型体区和纵向沟槽外其他区域均设有JFET区域，在所述P型体区中还设有重掺杂的N型源极，所述N型源极和纵向沟槽相接，所述P型体区表面除重掺杂的N型源极外其他区域均设有重掺杂的P型源极。本发明结构对MOSFET器件的栅氧化层提供较为全面的保护，同时改善器件JFET电阻，降低器件总导通电阻。