本发明公开了一种高电流立体型纳米空气沟道电子管，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的功能层；半导体基底与功能层之间存在二维电子气；位于功能层背向半导体基底一侧表面的顶电极；多个沿垂直方向从顶电极延伸至半导体基底的纳米空气沟道；多个纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列。通过设置多个垂直方向的纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列，可以有效增大二维电子气的有效发射面积，提高发射电流至毫安量级。通过新型纳米空气沟道阵列和电极结构与材料的设计，可以实现低电压大电流工作，同时大幅提高该类器件的截止频率至太赫兹量级。本发明还提供了一种电子器件，同样具有上述有益效果。