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公开(公告)号：CN114613844B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210248318.6
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/739 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种纳米空气沟道电子器件的小型化阵列化制备方法，包括在半导体基底一侧表面设置绝缘层；在绝缘层表面设置图形化的牺牲层，形成制备窗口；在制备窗口内进行纳米微球自组装，得到周期紧密排列的纳米微球单层膜；对纳米微球单层膜进行刻蚀得到符合预设要求的纳米微球阵列薄膜；通过纳米微球阵列薄膜在制备窗口内的绝缘层表面垂直沉积导电材料，至形成顶电极以及纳米空气沟道阵列。通过调整纳米微球刻蚀程度，能够实现相互连接的球棍状纳米微球单层膜，可以实现沟道最小长度低至1纳米以下的平面型纳米空气沟道阵列；另外能够实现相互分离的周期排列的纳米微球单层膜，进而实现相应的立体型纳米空气沟道阵列。
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公开(公告)号：CN118299238A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410418264.2
申请日：2024-04-09
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路及制备方法，涉及纳米空气沟道电子器件技术领域，位于平面沟道区域的功能层设置有平面纳米空气沟道功能结构形成平面型纳米空气沟道电子管；平面纳米空气沟道功能结构中纳米空气沟道下方设置有导电层的结构以导电层为栅极形成平面型纳米空气沟道三极管；位于立体沟道区域的功能层包括立体纳米空气沟道功能结构，立体纳米空气沟道功能结构以导电层为一端形成立体型纳米空气沟道电子管。通过对基底的导电层进行图案化，将该导电层作为平面型纳米空气沟道三极管的栅极以及立体型纳米空气沟道电子管的一端，同时通过该图案化的导电层互联形成逻辑电路，避免了部分复杂的互联线路，简化布线。
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公开(公告)号：CN114613842B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210247310.8
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L21/335 , H01L29/778 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管便于连接的特点将不同的电子元件互联，从而实现立体型纳米空气沟道电子管与平面型纳米空气沟道电子管的片上集成，同时结合立体型纳米空气沟道电子管工作电流大，以及平面型纳米空气沟道电子管连接方便的特点，使得片上集成的超快纳米电子器件具有实用性。本发明还提供了一种片上集成的超快纳米电子器件的制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN118482824A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410742350.9
申请日：2024-06-11
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本发明涉及红外传感器领域，特别是涉及一种制冷型焦平面红外传感器及其制造方法，通过在衬底上依次外延生长电路层及红外传感层；在所述电路层内制备中间电路；所述中间电路包括光电积分电路、采样保持电路及行列选择电路；在所述红外传感层内制备红外传感单元阵列，得到光电芯片；在所述光电芯片上键合读出芯片，所述读出芯片通过所述中间电路与所述红外传感单元阵列电连接。本发明将电路层与红外传感层依次外延生长在衬底上，在电路层上制备中间电路，并通过中间电路将读出芯片与光电芯片互连，大幅降低了读出芯片与光电芯片键合的引脚数量与面积，进而降低了制冷型焦平面红外传感器工作时的内应力的上限，避免了器件性能降低与使用寿命缩短。
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公开(公告)号：CN114613841A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210247269.4
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/778 , H01L21/335 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种高电流立体型纳米空气沟道电子管，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的功能层；半导体基底与功能层之间存在二维电子气；位于功能层背向半导体基底一侧表面的顶电极；多个沿垂直方向从顶电极延伸至半导体基底的纳米空气沟道；多个纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列。通过设置多个垂直方向的纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列，可以有效增大二维电子气的有效发射面积，提高发射电流至毫安量级。通过新型纳米空气沟道阵列和电极结构与材料的设计，可以实现低电压大电流工作，同时大幅提高该类器件的截止频率至太赫兹量级。本发明还提供了一种电子器件，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN118248505A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410418265.7
申请日：2024-04-09
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种超快纳米电子器件及逻辑电路，应用于半导体器件技术领域，包括：CMOS集成兼容的半导体基底；位于半导体基底一侧表面的绝缘介质层；位于绝缘介质层背向半导体基底一侧表面的导电功能层；导电功能层包括导电电极对，导电电极对包括至少两块导电电极，至少一个导电电极朝向另一导电电极一侧设置有尖端，尖端与另一导电电极之间形成有纳米空气沟道，纳米空气沟道的长度小于电子在空气中的平均自由程。通过剔除传统氧化硅绝缘介质功能层，大幅降低电离总剂量效应影响；通过利用导电材料代替半导体材料作为器件功能层，避免中子辐照效应导致的器件性能的衰变；通过采用导电结构避免了瞬时高能伽玛辐射产生光电流。
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公开(公告)号：CN117130583A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311239279.4
申请日：2023-09-25
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 本发明公开了一种随机数发生器及随机数生成方法，应用于随机数生成技术领域，包括生成器和读取器，生成器包括：基底；位于基底表面的电极对，电极对中一电极具有指向另一电极延伸的尖端，尖端与另一电极之间具有纳米空气通道；读取器与电极对电性连接，读取器用于在生成器加载电压后，读取一段时间内的波动电流信号；从电流信号中提取出随机比特流。基于电极对之间形成的纳米空气通道，该随机数发生器的随机性来源于纳米空气通道引起的隧穿发射电流波动，整体呈现出良好的随机特性，而产生该随机性的生成器中的纳米空气通道尺寸通常在亚十纳米这一量级，这将使得随机数发生器在具有良好随机性的同时又可以小型化和集成化。
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公开(公告)号：CN114613841B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210247269.4
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/778 , H01L21/335 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种高电流立体型纳米空气沟道电子管，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的功能层；半导体基底与功能层之间存在二维电子气；位于功能层背向半导体基底一侧表面的顶电极；多个沿垂直方向从顶电极延伸至半导体基底的纳米空气沟道；多个纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列。通过设置多个垂直方向的纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列，可以有效增大二维电子气的有效发射面积，提高发射电流至毫安量级。通过新型纳米空气沟道阵列和电极结构与材料的设计，可以实现低电压大电流工作，同时大幅提高该类器件的截止频率至太赫兹量级。本发明还提供了一种电子器件，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN114613844A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210248318.6
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/739 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种纳米空气沟道电子器件的小型化阵列化制备方法，包括在半导体基底一侧表面设置绝缘层；在绝缘层表面设置图形化的牺牲层，形成制备窗口；在制备窗口内进行纳米微球自组装，得到周期紧密排列的纳米微球单层膜；对纳米微球单层膜进行刻蚀得到符合预设要求的纳米微球阵列薄膜；通过纳米微球阵列薄膜在制备窗口内的绝缘层表面垂直沉积导电材料，至形成顶电极以及纳米空气沟道阵列。通过调整纳米微球刻蚀程度，能够实现相互连接的球棍状纳米微球单层膜，可以实现沟道最小长度低至1纳米以下的平面型纳米空气沟道阵列；另外能够实现相互分离的周期排列的纳米微球单层膜，进而实现相应的立体型纳米空气沟道阵列。
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公开(公告)号：CN114613842A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210247310.8
申请日：2022-03-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L21/335 , H01L29/778 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管便于连接的特点将不同的电子元件互联，从而实现立体型纳米空气沟道电子管与平面型纳米空气沟道电子管的片上集成，同时结合立体型纳米空气沟道电子管工作电流大，以及平面型纳米空气沟道电子管连接方便的特点，使得片上集成的超快纳米电子器件具有实用性。本发明还提供了一种片上集成的超快纳米电子器件的制备方法，同样具有上述有益效果。
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