- 专利标题: 一种多级式SiC-MOSFET驱动电路及控制方法
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申请号: CN202210509692.7申请日: 2022-05-11
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公开(公告)号: CN114614803A公开(公告)日: 2022-06-10
- 发明人: 曹文平 , 胡存刚 , 孙路 , 严志尚 , 朱非凡
- 申请人: 合肥安赛思半导体有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市中国(安徽)自由贸易试验区合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701
- 专利权人: 合肥安赛思半导体有限公司
- 当前专利权人: 合肥安赛思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市中国(安徽)自由贸易试验区合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701
- 代理机构: 合肥天明专利事务所
- 代理商 娄岳
- 主分类号: H03K17/041
- IPC分类号: H03K17/041 ; H03K17/16 ; H03K17/687
摘要:
本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法,包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路;所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块;所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通,消除开通时的电压尖峰,减小关断时的电压振荡;并获取开通过程中的电压动态参数,进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小,以提供稳定的驱动电压。
公开/授权文献
- CN114614803B 一种多级式SiC-MOSFET驱动电路及控制方法 公开/授权日:2022-08-05
IPC分类: