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公开(公告)号：CN116545292A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310786266.2
申请日：2023-06-30
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M1/12 , H02J3/38
摘要： 本发明涉及LC滤波型逆变器控制领域，特别是涉及一种LC滤波型逆变器预测控制方法及系统。本发明的LC滤波型逆变器预测控制方法，先合成十二个输出电压虚拟矢量；接着获取电容电压梯度模型，重构LC滤波型逆变器的状态空间方程，实现时刻的电容电压梯度的实时更新；最终根据时刻的各所述输出电压基本矢量的作用时间预测时刻的电容电压，将预测出的电容电压分别代入价值函数进行评估，选择使价值函数值最小的所述输出电压虚拟矢量作为最优矢量应用在下一个控制周期。本发明使用测量的电容电压梯度代替传统的预测模型，从而消除了传统预测控制对电流传感器以及系统参数准确性的依赖。
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公开(公告)号：CN117791825B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410205006.6
申请日：2024-02-26
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种UPS锂电池充电回路及其控制方法，涉及UPS锂电池充电技术领域，本发明包括电池模块、充电回路模块、电流采样模块、通讯模块和控制器模块，系统采用三电平整流器拓扑,充电回路有正母线、负母线和中性线，在充电过程中，中性线有电流，本发明的控制器模块通过安装在正负母线上的电流采样模块、电池模块内的电压传感器获取电池的电流数据、电压信息，控制器模块通过计算得到剩余电量信息，并将电池模块的上下两部分电池的剩余电量与电压数据进行比较，控制器模块通过控制充电回路模块上的继电器的通断，调整上下两部分电池充电的方式，独立控制对上下两部分电池分别充电，使电池剩余电量及电压达到动态平衡的目的。
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公开(公告)号：CN117791825A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410205006.6
申请日：2024-02-26
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种UPS锂电池充电回路及其控制方法，涉及UPS锂电池充电技术领域，本发明包括电池模块、充电回路模块、电流采样模块、通讯模块和控制器模块，系统采用三电平整流器拓扑,充电回路有正母线、负母线和中性线，在充电过程中，中性线有电流，本发明的控制器模块通过安装在正负母线上的电流采样模块、电池模块内的电压传感器获取电池的电流数据、电压信息，控制器模块通过计算得到剩余电量信息，并将电池模块的上下两部分电池的剩余电量与电压数据进行比较，控制器模块通过控制充电回路模块上的继电器的通断，调整上下两部分电池充电的方式，独立控制对上下两部分电池分别充电，使电池剩余电量及电压达到动态平衡的目的。
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公开(公告)号：CN117761491A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311791891.2
申请日：2023-12-22
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法，包括第一可编程电源用于为栅极老化实验提供电压；第二可编程电源用于为双脉冲实验提供电压；驱动电路用于为双脉冲实验提供双脉冲，根据双脉冲实验驱动信号驱动待测SiC MOSFET器件；DUT阵列包括若干相互并联的SiC MOSFET器件；LabVIEW控制系统用于将第一编程电源输出的电压加至DUT阵列的栅极，或将驱动电路输出的电压加至DUT阵列的栅极。本发明通过设置特定的测试实验系统结构，实现既可以高效率老化SiC MOSFET器件又可以直接进行双脉冲实验。
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公开(公告)号：CN116566206A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310826208.8
申请日：2023-07-07
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明揭示了一种功率调整器的移相控制方法和系统，其方法包括；实时采样设定电压范围0‑X的模拟输入信号H，获取一个信号周期的调功比例A，A=H/X；根据调功比例A，获取设定输入频率下，导通角θ和移相时间t的值；实时采样供给负载的输出电压；当输出电压零点时，自零开始计时，当计时值与移相时间t的值相等时，输出PWM信号，控制供给负载的电压和电流；定时采样供给负载的输出电流的瞬时值I；获取有效值I1，判断有效值I1和期望值I2的误差E，校准调功比例A，获取调功比例A1；根据调功比例A1，重复获取调功比例A后的步骤。本方法提升调压稳定性，精准控制输出功率，提升功率调整器的控制精准度。
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公开(公告)号：CN116526884A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310797254.X
申请日：2023-07-03
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H02M7/5387 , H02J3/46
摘要： 本发明提供一种并网逆变器无模型预测控制方法及控制系统。并网逆变器无模型预测控制方法包括：建立并网逆变器在静态坐标系中的数学模型，并对数学模型进行分析，以得到多个基本电压矢量；基于数学模型构造第一超局部模型；基于第一超局部模型构建第二超局部模型；进行电流预测，并分析得到多个基本电压矢量对应的价值函数值；将价值函数值最小的基本电压矢量作为最优电压矢量进行预测控制。本发明具有在计算量减小的同时，极大提高系统的参数鲁棒性的优点。
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公开(公告)号：CN114614803A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210509692.7
申请日：2022-05-11
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法，包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通，消除开通时的电压尖峰，减小关断时的电压振荡；并获取开通过程中的电压动态参数，进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小，以提供稳定的驱动电压。
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公开(公告)号：CN117741388B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410181872.6
申请日：2024-02-19
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明揭示了一种SiC MOSFET结温监测电路和方法，所述SiC MOSFET结温监测电路包括RC缓冲电路和信号调理电路；RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极；RC缓冲电路用于捕获待测功率器件Q1开通时漏‑源电压的变化起始时刻，输出一电压信号，并将电压信号的幅值缩小至信号调理电路的安全阈值内；信号调理电路与RC缓冲电路的输出端相连；信号调理电路和待测功率器件Q1的栅极相连；信号调理电路用于对来自RC缓冲电路的电压信号进行运算处理，并与来自待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较，转换出表征待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。本发明能够提高温敏电参数的敏感度，且不需要在正常开关周期内添加额外的测试脉冲，实现器件结温的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN117879326A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410281640.8
申请日：2024-03-13
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种多电平驱动信号的GaN_FET并联均流控制电路及方法，包括：多电平发生模块、栅极驱动模块、主功率模块、电流监测模块、控制模块，通过上述技术方案，通过电流监测模块和控制模块对流过每个功率模块单元的电流进行采样和计算，分别得到各有效值与峰值，计算得到有效值与峰值的不均衡度后，可以计算得到下一个开关时刻需要的驱动电压信号VCC，然后对应调节多电平生成模块改变输出电压VCC，从而可以改变功率模块单元的开通时间，从而影响三个功率模块单元的电流均衡度。
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公开(公告)号：CN115459566B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211414384.2
申请日：2022-11-11
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H02M1/088 , H02M1/32 , H03K17/0814 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种SIC‑MOSFET并联均流电路及其控制方法，包括SIC‑MOSFET并联模块，具有并联的i个SIC‑MOSFET；电阻网络模块，通过并联的i组驱动回路驱动i个SIC‑MOSFET；控制模块，用于控制所述i组驱动回路的开通与关断；以及检测模块，用于检测、量化所述i个寄生电感的动态参数。通过控制模块将不同寄生电感的计数结果进行排序，将计数结果越大的SIC‑MOSFET导通更多的驱动电阻，使该SIC‑MOSFET的驱动电阻值减小，可以减短其开通时间，向计数结果最小的SIC‑MOSFET上升沿时间逼近，提升了流过各SIC‑MOSFET的电流均衡度。
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