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公开(公告)号：CN117791825B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410205006.6
申请日：2024-02-26
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种UPS锂电池充电回路及其控制方法，涉及UPS锂电池充电技术领域，本发明包括电池模块、充电回路模块、电流采样模块、通讯模块和控制器模块，系统采用三电平整流器拓扑,充电回路有正母线、负母线和中性线，在充电过程中，中性线有电流，本发明的控制器模块通过安装在正负母线上的电流采样模块、电池模块内的电压传感器获取电池的电流数据、电压信息，控制器模块通过计算得到剩余电量信息，并将电池模块的上下两部分电池的剩余电量与电压数据进行比较，控制器模块通过控制充电回路模块上的继电器的通断，调整上下两部分电池充电的方式，独立控制对上下两部分电池分别充电，使电池剩余电量及电压达到动态平衡的目的。
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公开(公告)号：CN117791825A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410205006.6
申请日：2024-02-26
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种UPS锂电池充电回路及其控制方法，涉及UPS锂电池充电技术领域，本发明包括电池模块、充电回路模块、电流采样模块、通讯模块和控制器模块，系统采用三电平整流器拓扑,充电回路有正母线、负母线和中性线，在充电过程中，中性线有电流，本发明的控制器模块通过安装在正负母线上的电流采样模块、电池模块内的电压传感器获取电池的电流数据、电压信息，控制器模块通过计算得到剩余电量信息，并将电池模块的上下两部分电池的剩余电量与电压数据进行比较，控制器模块通过控制充电回路模块上的继电器的通断，调整上下两部分电池充电的方式，独立控制对上下两部分电池分别充电，使电池剩余电量及电压达到动态平衡的目的。
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公开(公告)号：CN117761491A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311791891.2
申请日：2023-12-22
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法，包括第一可编程电源用于为栅极老化实验提供电压；第二可编程电源用于为双脉冲实验提供电压；驱动电路用于为双脉冲实验提供双脉冲，根据双脉冲实验驱动信号驱动待测SiC MOSFET器件；DUT阵列包括若干相互并联的SiC MOSFET器件；LabVIEW控制系统用于将第一编程电源输出的电压加至DUT阵列的栅极，或将驱动电路输出的电压加至DUT阵列的栅极。本发明通过设置特定的测试实验系统结构，实现既可以高效率老化SiC MOSFET器件又可以直接进行双脉冲实验。
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公开(公告)号：CN116566206A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310826208.8
申请日：2023-07-07
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明揭示了一种功率调整器的移相控制方法和系统，其方法包括；实时采样设定电压范围0‑X的模拟输入信号H，获取一个信号周期的调功比例A，A=H/X；根据调功比例A，获取设定输入频率下，导通角θ和移相时间t的值；实时采样供给负载的输出电压；当输出电压零点时，自零开始计时，当计时值与移相时间t的值相等时，输出PWM信号，控制供给负载的电压和电流；定时采样供给负载的输出电流的瞬时值I；获取有效值I1，判断有效值I1和期望值I2的误差E，校准调功比例A，获取调功比例A1；根据调功比例A1，重复获取调功比例A后的步骤。本方法提升调压稳定性，精准控制输出功率，提升功率调整器的控制精准度。
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公开(公告)号：CN116526884A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310797254.X
申请日：2023-07-03
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H02M7/5387 , H02J3/46
摘要： 本发明提供一种并网逆变器无模型预测控制方法及控制系统。并网逆变器无模型预测控制方法包括：建立并网逆变器在静态坐标系中的数学模型，并对数学模型进行分析，以得到多个基本电压矢量；基于数学模型构造第一超局部模型；基于第一超局部模型构建第二超局部模型；进行电流预测，并分析得到多个基本电压矢量对应的价值函数值；将价值函数值最小的基本电压矢量作为最优电压矢量进行预测控制。本发明具有在计算量减小的同时，极大提高系统的参数鲁棒性的优点。
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公开(公告)号：CN114614803A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210509692.7
申请日：2022-05-11
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法，包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通，消除开通时的电压尖峰，减小关断时的电压振荡；并获取开通过程中的电压动态参数，进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小，以提供稳定的驱动电压。
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公开(公告)号：CN117761491B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311791891.2
申请日：2023-12-22
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法，包括第一可编程电源用于为栅极老化实验提供电压；第二可编程电源用于为双脉冲实验提供电压；驱动电路用于为双脉冲实验提供双脉冲，根据双脉冲实验驱动信号驱动待测SiC MOSFET器件；DUT阵列包括若干相互并联的SiC MOSFET器件；LabVIEW控制系统用于将第一编程电源输出的电压加至DUT阵列的栅极，或将驱动电路输出的电压加至DUT阵列的栅极。本发明通过设置特定的测试实验系统结构，实现既可以高效率老化SiC MOSFET器件又可以直接进行双脉冲实验。
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公开(公告)号：CN117879326B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410281640.8
申请日：2024-03-13
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
摘要： 本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种多电平驱动信号的GaN_FET并联均流控制电路及方法，包括：多电平发生模块、栅极驱动模块、主功率模块、电流监测模块、控制模块，通过上述技术方案，通过电流监测模块和控制模块对流过每个功率模块单元的电流进行采样和计算，分别得到各有效值与峰值，计算得到有效值与峰值的不均衡度后，可以计算得到下一个开关时刻需要的驱动电压信号VCC，然后对应调节多电平生成模块改变输出电压VCC，从而可以改变功率模块单元的开通时间，从而影响三个功率模块单元的电流均衡度。
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公开(公告)号：CN114614803B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210509692.7
申请日：2022-05-11
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法，包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通，消除开通时的电压尖峰，减小关断时的电压振荡；并获取开通过程中的电压动态参数，进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小，以提供稳定的驱动电压。
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公开(公告)号：CN114499475A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210152039.X
申请日：2022-02-18
申请人： 合肥安赛思半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/042 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法，涉及GaN器件驱动技术领域，包括：驱动电源Vcc1、N型MOSFET Q1和P型MOSFET Q2串联而成的推挽电路、电阻R3和二极管D1串联而成的充放电回路；其中电源Vcc2、电阻R6串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路，比较器Z1构成用于拓展电路的比较器电路；充放电回路用于提供可靠关断和常规电流，不仅能够保证氮化镓器件的开通关断速度，而且避免了电压尖峰的产生，抑制了关断时的电压振荡；比较器电路为电路的拓展留下了更多的可能性，结合数字控制电路可以根据需求调整二级电流补充电路的数量，继而改变电路的驱动能力，提供稳定驱动电压，保证GaN HEMT器件可靠的运行。
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