一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；形成所述阱区后，在所述衬底上形成沟道层；刻蚀所述沟道层以及部分厚度的衬底，形成凸出于剩余衬底的鳍部。本发明在形成所述阱区之后，形成所述沟道层，也就是说，所述阱区中的阱区离子未掺杂至所述沟道层中，相应的，在刻蚀所述沟道层时，可以减小或避免所述阱区离子对所述沟道层的刻蚀速率的影响，相应有利于提高对所述沟道层的刻蚀速率均一性，从而有利于降低刻蚀后剩余沟道层的表面粗糙度，即降低鳍部中的沟道层表面粗糙度，进而提高半导体结构的性能。