一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片
摘要:
本申请提供了一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片,涉及半导体工艺技术领域。首先基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属,再将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中,并在预设的时间内进行烘烤,以在连接金属的侧壁形成保护层,其中,保护层用于抑制在焊接时焊接金属向连接金属扩散。本申请提供的芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片具有焊接后性能更好的优点。
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