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公开(公告)号：CN114908390B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210511042.6
申请日：2022-05-11
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要： 本申请提供了一种布线层制作方法与半导体器件，涉及半导体封装技术领域。首先基于芯片的一侧制作电镀金属线层；将制作电镀金属线层后的芯片置于无氧环境下升温，以使电镀金属线层中的晶粒与晶格进行增长与重新排列。本申请提供的布线层制作方法与半导体器件具有提高了产品流片效率，并有效的提升线路的电性能的优点。
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公开(公告)号：CN114725036A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210358746.4
申请日：2022-04-06
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型双面封装结构包括第一载板、第一芯片、第一塑封体、第二载板、第二芯片、第二塑封体、布线组合层以及封装器件，将第一载板和第二载板相互贴合，并在第一载板上贴装第一芯片，在第二载板上贴装第二芯片和封装器件，从而实现了双面扇出型封装结构，同时，第一载板内设置有第一布线层，第二载板内设置有第二布线层，通过两个载板实现双面封装，从而大幅提升了布线密集度，实现了更高密集度的布线要求，有助于提升芯片堆叠数量。同时通过两个载板分别实现塑封，能够起到更好的支撑作用，并够减缓塑封翘曲问题，从而减缓了分层问题。
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公开(公告)号：CN114709180A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210344662.5
申请日：2022-03-31
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/60
摘要： 一种三维扇出型封装结构及其制作方法，涉及半导体封装技术领域。该三维扇出型封装结构包括具有第一表面和第二表面的功能芯片，第一表面上具有芯片焊盘，芯片焊盘上设置有第一金属柱；围设于功能芯片的外周的多个第二金属柱，第二金属柱与第一金属柱电连接；包覆功能芯片、第一金属柱和第二金属柱的塑封体；设于塑封体一侧且与第二金属柱电连接的第一重布线层，第一重布线层上设有多个呈矩阵排布的打线焊盘；设于塑封体另一侧且与第二金属柱电连接的第二重布线层，第二重布线层上设有多个呈矩阵排布的第一锡球。该三维扇出型封装结构能够提高单位面积的讯号连接点密度。
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公开(公告)号：CN114908390A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210511042.6
申请日：2022-05-11
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要： 本申请提供了一种布线层制作方法与半导体器件，涉及半导体封装技术领域。首先基于芯片的一侧制作电镀金属线层；将制作电镀金属线层后的芯片置于无氧环境下升温，以使电镀金属线层中的晶粒与晶格进行增长与重新排列。本申请提供的布线层制作方法与半导体器件具有提高了产品流片效率，并有效的提升线路的电性能的优点。
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公开(公告)号：CN114792669A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210708018.1
申请日：2022-06-22
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本申请提供了一种三维封装结构及其制作方法和电子设备，涉及半导体领域。三维封装结构包括封装主体，封装主体包括重新布线层、第一芯片、第二芯片、导线以及第一塑封体，第一芯片与重新布线层电连接，第一塑封体包裹第一芯片和导线；导线的一端与重新布线层电连接，另一端延伸至第一塑封体的侧面；第二芯片贴装于第一塑封体的侧面，并与导线的端部电连接。本申请的三维封装结构相较于现有技术，拓宽了芯片的堆叠方向，利用导线实现了芯片的横向堆叠，使得芯片能够得到更合理、更紧凑的布置，提高集成度的同时也能够保证结构的稳定性。本申请提供的制作方法用于制作上述的三维封装结构，本申请提供的电子设备包括上述的三维封装结构。
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公开(公告)号：CN114725035A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210358239.0
申请日：2022-04-06
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型双面封装结构包括第一载具、第二载具、第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第三芯片、第二塑封体和布线组合层，通过第一载具和第二载具来实现封装，相较于单晶圆封装结构，其布线密度更大，有利于实现更高密集度的布线需求，进而提升堆叠数量，并且第一载具和第二载具分别起到支撑作用，从而有效解决塑封体与芯片表面存在分层问题以及塑封体与衬底基板分层问题。并且，通过第一导电线和第二导电线实现了第二芯片的电连接，实现了同一侧芯片放置方向的打线堆叠，保证了贴装方式和布线方式的多样性。
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公开(公告)号：CN114823557A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210358763.8
申请日：2022-04-06
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在第一载片上设置第一芯片，在第二载片上设置第二芯片，第一载片和第二载片相互贴合，从而实现了双面封装。并且，通过第一载片和第二载片的双面封装结构，能够实现良好的支撑性，并且第一塑封体和第二塑封体分别制作，能够解决应力分散问题，进一步减缓塑封翘曲问题。此外，通过在第一天线凹槽内的第二载片上设置第一天线结构，使得第一天线结构能够通过第一天线凹槽直接外露，保证了天线性能，并且第一天线结构直接设置在第二载片上，结构简单，避免了中间布线影响天线的性能。
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公开(公告)号：CN114613735A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210233236.4
申请日：2022-03-10
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构中，布线组合层在远离芯片的一侧表面还设置有多个焊接凹槽，多个焊接凹槽分布在导电焊球的至少两侧，并靠近导电焊球的底部设置，在将封装结构焊接在基板上时，当导电焊球与基板上的焊球发生偏移时，且偏移量超过焊盘位置时，焊球可以熔融流入焊接凹槽，只要两个焊球侧壁结合，就可以在焊接凹槽内形成新的焊接位置，提升焊接可靠性和结合力。同时其余未流入焊料的焊接凹槽，一方面可以提高扇出型封装底部的散热空气接触面积，从而提高散热能力，另一方面还可以减少翘曲，起到缓冲热应力的作用，避免封装结构变形。
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公开(公告)号：CN114783891A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210344701.1
申请日：2022-03-31
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 本发明提供了一种晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备，涉及半导体领域。本发明的晶圆级芯片封装方法，充分利用成熟的倒装技术及晶圆级封装，现在载具上构建第一重新布线层和第一导电柱，再倒装芯片，将芯片上的第二导电柱与第一重新布线层连接，再形成塑封体并露出第一导电柱的端部，然后制作第二重新布线层和第一锡球，接着将载具从第一重新布线层上剥离，再在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球。该方法制作的晶圆级芯片封装机构能够实现双面扇出，能实现芯片的全面性包封，使之提高封装可靠性，具有体积小且能乘载更多的讯号连接点。
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公开(公告)号：CN114649287A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210541264.2
申请日：2022-05-19
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/603
摘要： 本申请提供了一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片，涉及半导体工艺技术领域。首先基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属，再将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在连接金属的侧壁形成保护层，其中，保护层用于抑制在焊接时焊接金属向连接金属扩散。本申请提供的芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片具有焊接后性能更好的优点。
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