本发明公开了一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法，以聚合物cPPA瞬态薄膜作为中间层，制备出相应的瞬态电子器件电子器件，在紫外光照射下达到可控降解：瞬态电阻器以瞬态薄膜为器件的基底，有利于正常情况器件的稳定运行，在降解过程中基底失效从而导致电阻器功能快速失效以及物理降解。利用聚合物cPPA瞬态薄膜呈N型的特性，与半导体氧化物ZnO构成二极管的主要结构PN结，从而实现二极管的单向导电性。还利用聚合物cPPA瞬态薄膜与高k值氧化物Yi2O3构成高k值介质层，形成高k值电容，具有优异的电容性能。在紫外光下能够可控降解，在具有优异电学性能的同时能够快速可控降解。