Invention Grant
- Patent Title: 溅射装置以及晶圆镀膜方法
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Application No.: CN202011553419.1Application Date: 2020-12-24
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Publication No.: CN114672775BPublication Date: 2025-02-25
- Inventor: 边大一 , 高建峰 , 丁云凌 , 刘卫兵
- Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- Assignee: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- Current Assignee: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- Agency: 北京辰权知识产权代理有限公司
- Agent 李晶
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34 ; C23C14/50 ; C23C14/56

Abstract:
本发明公开了一种溅射装置以及晶圆镀膜方法,该溅射装置包括反应单元,反应单元包括反应室、置物架和加热件,反应室内设有多种靶材,多种靶材沿反应室的周向间隔设置,置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位,置物架能够在反应室内转动,以驱使承托位与多种靶材中的任一种对应设置,加热件的数量与承托位的数量一致,加热件与承托位对应设置。在一个反应室内设置多种靶材,以及通过置物架的转动实现晶圆与不同靶材对应设置,实现了晶圆在一个反应室内能够进行多工艺镀膜,提高了生产的效率,另外,减少了反应室的数量,使得溅射装置的制造成本得到降低,此外,无需晶圆频繁离开反应室,避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响。
Public/Granted literature
- CN114672775A 溅射装置以及晶圆镀膜方法 Public/Granted day:2022-06-28
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IPC分类: