发明公开
- 专利标题: 一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法
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申请号: CN202011558184.5申请日: 2020-12-25
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公开(公告)号: CN114672789A公开(公告)日: 2022-06-28
- 发明人: 郭挑远 , 白国斌 , 高建峰 , 王桂磊 , 丁云凌 , 崔恒玮
- 申请人: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号: C23C16/458
- IPC分类号: C23C16/458 ; C23C16/46
摘要:
本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法,包括:载台本体、顶针本体以及加热装置;加热装置设置在顶针本体中;载台本体设置有通孔,顶针本体穿过通孔;顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面,其中,加热装置对顶针本体加热,顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置,使得加热装置对顶针本体进行加热,顶针本体和载台本体共同对晶圆传热,顶针本体可以减少通孔中损失的热量,或者弥补通孔中损失的热量,进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度,或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象,进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度,增加薄膜的厚度,提高晶圆表面成膜的效率。
IPC分类: