发明公开
- 专利标题: 一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法
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申请号: CN202011566708.5申请日: 2020-12-25
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公开(公告)号: CN114689955A公开(公告)日: 2022-07-01
- 发明人: 陈燕宁 , 刘红侠 , 郭丹 , 谢海武 , 赵东艳 , 周芝梅 , 付振 , 杜剑 , 刘芳
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学 , 北京芯可鉴科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,西安电子科技大学,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,西安电子科技大学,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00 ; G01R31/28
摘要:
本发明公开了一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法,该电路通过在MCU的外围电路中加入ESD干扰信号源,并接入待测试的MCU;然后利用直流电压信号驱动待测试MCU产生无ESD干扰信号的输出波形;获取ESD干扰信号源的参数,并得到ESD干扰信号;将直流电压信号和ESD干扰信号进行共同作用于待测试的MCU,得到有ESD干扰信号的输出波形;将无ESD干扰信号的输出波形和有ESD干扰信号的输出波形进行对比分析,以完成待测试MCU的静电放电防护性能测试评估。本发明提供的测试MCU静电放电防护性能的电路,克服了现有技术中在MCU启动后外围电路无法测试MCU在启动后的ESD干扰的问题,可用于对具有稳定静电放电防护性能的MCU的测试筛选,从而提高集成电路的稳定性。