本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法，高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要，波导质量决定了芯片的质量，进而影响在量子通信中的传输量与传输速度，选用铌酸锂晶圆为衬底，在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶，后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形，再经质子交换、刻蚀等工艺过程，得到高质量波导，光刻胶厚度控制在600‑700nm；氢离子与锂离子进行交换，质子源为配比4270：1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态，质子交换炉温度170℃、时间10‑24h；湿法刻蚀过程中，1：2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液，16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法，使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。