一种用于铌酸锂晶体表面周期性电极制备方法

    公开(公告)号:CN117500357A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311537546.6

    申请日:2023-11-17

    摘要: 一种用于铌酸锂晶体表面周期性电极制备方法,在外加电场极化时,周期性电极的质量决定了极化时反转畴的质量,进而影响制备的铌酸锂器件的性能。选用1mm厚z切3英寸铌酸锂晶圆,在其+z面上旋涂光刻胶,经烘烤光刻显影后沉积一层铝层形成复合晶圆结构,经丙酮和乙醇混合液剥离后形成周期性电极结构。光刻胶的厚度控制在500‑600nm;使用物理气相沉积技术在铌酸锂晶圆+z面上沉积多孔铝层,铝电极宽度为9μm,电极孔径为3μm,电极厚度为180‑200nm;剥离过程中,1:1丙酮与乙醇混合液,60‑70℃剥离温度,超声时间30min,得到的均匀的周期性电极结构。本发明提供的周期性电极制作方法,工艺简单不损伤衬底,使得电极结构均匀分布、易于畴结构成核生长。

    一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法

    公开(公告)号:CN114690316A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210380098.2

    申请日:2022-04-12

    摘要: 本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法,高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要,波导质量决定了芯片的质量,进而影响在量子通信中的传输量与传输速度,选用铌酸锂晶圆为衬底,在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶,后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形,再经质子交换、刻蚀等工艺过程,得到高质量波导,光刻胶厚度控制在600‑700nm;氢离子与锂离子进行交换,质子源为配比4270:1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态,质子交换炉温度170℃、时间10‑24h;湿法刻蚀过程中,1:2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液,16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法,使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。

    一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法

    公开(公告)号:CN114690316B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202210380098.2

    申请日:2022-04-12

    摘要: 本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法,高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要,波导质量决定了芯片的质量,进而影响在量子通信中的传输量与传输速度,选用铌酸锂晶圆为衬底,在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶,后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形,再经质子交换、刻蚀等工艺过程,得到高质量波导,光刻胶厚度控制在600‑700nm;氢离子与锂离子进行交换,质子源为配比4270:1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态,质子交换炉温度170℃、时间10‑24h;湿法刻蚀过程中,1:2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液,16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法,使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。

    一种基于密度泛函理论设计多孔材料特异性吸附苯的方法

    公开(公告)号:CN115083531A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210380001.8

    申请日:2022-04-12

    IPC分类号: G16C10/00

    摘要: 本发明公开了一种基于密度泛函理论设计多孔材料特异性吸附苯的方法,采用理论计算的方法,利用乙醛基团修饰吸附模型,设计构建对苯分子有特异性吸附的吸附模型,基于密度泛函理论,利用量子化学程序对乙醛基团修饰的吸附模型进行结构优化和单点能计算得到量子化学计算结果文件,利用量子化学和波函数分析的方法,对所设计的多孔材料吸附模型进行弱相互作用理论分析,研究MOFs多孔材料吸附模型对苯的吸附作用,从而获取对苯有特异性吸附的MOFs框架结构,为特异性吸附苯奠定坚实的理论依据。相比于直接采用实验室“试错式”吸附法,可准确高效地研究吸附机理,比实验更方便、更直观地获得特异性吸附苯的多孔材料结构。