发明公开
- 专利标题: 一种等离子体处理装置和处理方法
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申请号: CN202011597581.3申请日: 2020-12-29
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公开(公告)号: CN114695046A公开(公告)日: 2022-07-01
- 发明人: 周艳 , 倪图强
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海元好知识产权代理有限公司
- 代理商 徐雯琼; 张静洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明公开了一种等离子体处理装置及处理方法,包括一反应腔,所述反应腔包括:进气装置,用于向所述反应腔输送清洁气体;射频电源,用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体;清洁晶圆,具有第一直径;静电吸盘,用于承载所述清洁晶圆,具有第二直径,所述第一直径与所述第二直径差值小于等于±0.5mm。本发明在清洁步骤中采用与静电吸盘110尺寸相接近的清洁晶圆覆盖静电吸盘表面,能够有效降低清洁等离子体对静电吸盘上表面的损害程度,同时,清洁晶圆不会对聚焦环的第二上表面134和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡,使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。