发明公开
- 专利标题： 半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置
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申请号： CN202210038268.9申请日： 2022-01-13
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公开(公告)号： CN114695344A公开(公告)日： 2022-07-01
- 发明人: 江子豪 , 林文傑 , 李介文
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 63/157,219 20210305 US 17/354,870 20210622 US
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L27/06
摘要：
一种半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置，半导体元件包含P掺杂井具有在基材中的第一浓度的P型掺质；P掺杂区具有在基材中的第二浓度的P型掺质，且延伸围绕P掺杂井的周缘；浅沟渠隔离结构(STI)位于P掺杂井与P掺杂区之间；主动区位于基材上，主动区包含射极区及集极区；深沟渠隔离结构(DTI)延伸穿过主动区且位于射极区与集极区之间；以及电性连接位于射极区与P掺杂区之间。
IPC分类:
