- 专利标题: 一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管
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申请号: CN202210330190.8申请日: 2022-03-28
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公开(公告)号: CN114709253A公开(公告)日: 2022-07-05
- 发明人: 陈文锁 , 简鹏 , 王玉莹 , 张澳航 , 李剑 , 廖瑞金
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构: 重庆缙云专利代理事务所
- 代理商 王翔
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/47 ; H01L29/423 ; H01L29/739
摘要:
本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管,包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、阳极辅助栅介质层(13)、阳极辅助栅接触区(14)和阳极肖特基接触区(15);本发明可以消除器件导通时的负阻效应,提高器件的工作稳定性,获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系;实现器件的逆向导通能力。
公开/授权文献
- CN114709253B 一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管 公开/授权日:2024-06-18
IPC分类: