发明公开
- 专利标题： 一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管
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申请号： CN202210357114.6申请日： 2022-04-06
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公开(公告)号： CN114709309A公开(公告)日： 2022-07-05
- 发明人: 刘春杨 , 胡加辉 , 吕蒙普 , 金从龙
- 申请人： 江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址： 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
- 当前专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 代理机构： 南昌旭瑞知识产权代理事务所
- 代理商 彭琰
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/00 ; H01L33/14 ; H01L33/32
摘要：
本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层；其中，所述量子垒层通过Al组分含量的变化形成双三角形势垒结构。本发明解决了现有技术中的外延片发光效率低的问题。
IPC分类:
