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公开(公告)号：CN116504889B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310483719.4
申请日：2023-04-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底，该发光二极管外延片还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层；多量子阱层包括设于N型半导体层上的第一多量子阱层和设于第一多量子阱层上的第二多量子阱层，第一多量子阱层包括第一预设周期交替层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，第二多量子阱层包括设于第一多量子阱层上的第二量子阱层以及设于第二量子阱层上的第二量子垒层；第二量子垒层包括第二预设周期交替层叠的AlN层和Si‑Mgδ掺杂层，AlN层设于第二量子阱层之上，本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层，空穴不足，导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117525235A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311109389.9
申请日：2023-08-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种有源层及其制备方法、外延片及发光二极管，该有源层包括：包括周期性层叠设置的量子垒层和量子阱层，所述量子阱层为InxAlyGa（1‑x‑y）N层，所述量子垒层为InmGanAl（1‑m‑n）N；其中，所述y随有源层的周期数由0递增至第一预设值，所述n随有源层的周期数由0递增至第二预设值，所述量子垒层的厚度随着所述有源层的周期数递增而递减，所述量子垒层的厚度随着所述有源层的周期数递增而递减。本发明解决了现有技术中的的外延片由于空穴注入效率低而导致发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN117174793B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311429765.2
申请日：2023-10-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种蓝绿光LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为GaSb/GaN结构，其中量子阱层为GaSb层，量子垒层为GaN层，而量子垒层包括依次沉积的第一量子垒层和第二量子垒层，GaSb量子阱层禁带宽度为0.73 eV，可以形成能带较深的量子阱，有利于限制电子溢流，GaSb量子阱层对温度敏感性远低于InGaN量子阱层，可以形成晶体质量好、能带深的量子阱层，具体的，第一垒层通过降低生长温度可以释放GaSb与GaN因晶格失配而产生的应力，从而降低阱垒之间的能带弯曲度，阱垒界面清晰陡峭，使得量子阱内电子‑空穴波函数重叠率增加，最终电子空穴的辐射复合效率增加。
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公开(公告)号：CN116825914B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311102371.6
申请日：2023-08-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将全反射复合层设置在多量子阱层之前，以最大化的反射使得正向发光亮度提升，其中，全反射复合层包括周期性生长的第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层，第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率依次减小，第一反射子层为不掺杂的GaN层，第二反射子层为AlGaN层，第三反射子层为AlN层，AlGaN层中Al组分为20%~80%，具体的，由于第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率不一样，具备全反射条件，另外，由于外延生长工艺较为成熟，在LED外延片中设置全反射复合层后，可以减少在制备LED芯片时设置DBR层，以降低成本。
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公开(公告)号：CN116759503A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310604438.X
申请日：2023-05-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底，该发光二极管外延片还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、过渡层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层；所述P型半导体层包括预设周期交替层叠的P型GaN层和P型AlxInyGa1‑x‑yN层，所述P型GaN层设于所述电子阻挡层上；所述P型GaN层为三维生长的P型掺杂GaN层，所述P型AlxInyGa1‑x‑yN层中x的取值范围为0.4‑0.6，y的取值范围为0.01‑0.2，本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层，空穴不足，导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116682897A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310439083.3
申请日：2023-04-23
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供一图形化蓝宝石衬底；在第一预设温度、第一预设压力下，通入第一预设流量的NH3，对图形化蓝宝石衬底表面进行预处理第一预设时间，形成复合层；在第二预设温度、第二预设压力下，通入第二预设流量的TMGa，在复合层上生长第二预设时间，形成Ga层，其中，第一预设温度高于第二预设温度；在Ga层上依次生长AlGaN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层及P型接触层，本发明能够解决现有技术中在图形化蓝宝石(PSS)衬底上生长GaN或AlGaN或AlN缓冲层，将会导致位错密度提高或翘曲严重的技术问题。
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公开(公告)号：CN116504889A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310483719.4
申请日：2023-04-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底，该发光二极管外延片还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层；多量子阱层包括设于N型半导体层上的第一多量子阱层和设于第一多量子阱层上的第二多量子阱层，第一多量子阱层包括第一预设周期交替层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，第二多量子阱层包括设于第一多量子阱层上的第二量子阱层以及设于第二量子阱层上的第二量子垒层；第二量子垒层包括第二预设周期交替层叠的AlN层和Si‑Mgδ掺杂层，AlN层设于第二量子阱层之上，本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层，空穴不足，导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116504885A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310532409.7
申请日：2023-05-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片，该方法包括：提供一外延结构，外延结构包括应力释放层；在应力释放层之上制作多量子阱层，多量子阱层为InGaN量子阱层与GaN量子垒层交替生长的周期性结构；其中，制作InGaN量子阱层时，第一个周期中InGaN量子阱层的生长温度为一初始温度，多量子阱层的若干周期中，后一周期中InGaN量子阱层的生长温度均较前一周期中InGaN量子阱层高x℃，0.1≤x≤0.6。解决了InGaN阱层与GaN磊层之间存在势垒差异，使能带弯曲导致多量子阱层中产生极化现象，且周期越往后极化现象越严重、波长越长，导致波长不集中，限制了LED芯片的发光亮度的问题。
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公开(公告)号：CN116314278A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310575008.X
申请日：2023-05-22
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，通过在高电子迁移率晶体管外延结构中，使用Ga2O3层和Al掺杂的Ga2O3层周期性交替生长而成的高阻缓冲层，可以降低缓冲层漏电，提高对器件的夹断特性和耐压特性，具体的，由于Ga2O3相比传统的GaN具有更高的临界击穿场强，且与GaN晶格失配小，更容易生长出高晶体质量的外延薄膜，从而可以在提高HEMT外延层的高阻特性的同时，提高器件的击穿电压，并且得到高晶体质量的外延薄膜。
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公开(公告)号：CN115863501B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310166110.4
申请日：2023-02-27
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该外延片包括衬底及层叠于衬底之上的缓冲层，该外延片还包括：依次层叠于缓冲层之上的非Si掺GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、极性势垒调变层、电子阻挡层与P‑GaN层；其中，极性势垒调变层包括第一调变子层与第二调变子层，第一调变子层为层叠于多量子阱层之上的Ga极性面GaN层，第二调变子层为层叠于第一调变子层之上的N极性面InXN1‑X层，电子阻挡层为N极性面AlyGa1‑yN层。本发明解决了现有技术中多量子阱层末垒P型GaN区域的空穴不容易注入至多量子阱层中，降低了发光二极管外延片发光效率的技术问题。
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