发明授权
- 专利标题: 半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置
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申请号: CN202210324330.0申请日: 2022-03-29
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公开(公告)号: CN114721235B公开(公告)日: 2024-10-29
- 发明人: 陈利解 , 门松明珠 , 周爱和
- 申请人: 昆山一鼎工业科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市昆山市玉山镇望山北路399号
- 专利权人: 昆山一鼎工业科技有限公司
- 当前专利权人: 昆山一鼎工业科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市昆山市玉山镇望山北路399号
- 代理机构: 常州至善至诚专利代理事务所
- 代理商 吴霜
- 主分类号: G03F7/30
- IPC分类号: G03F7/30 ; H01L21/48
摘要:
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域,具体涉及半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置,这种半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置包括:相对设置的上显影槽和下显影槽;上显影槽的下部设置有若干上喷嘴,下显影槽的上部设置有若干下喷嘴,上喷嘴和下喷嘴错位相对,若干上喷嘴为阵列分布,一列上的上喷嘴呈W分布,若干下喷嘴为阵列分布,一列上的下喷嘴呈W分布;上显影槽和下显影槽设置有上下移动机构。这种半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置具有多角度清除产品表面微小颗粒残留,便于后续加工,提升产品质量的效果。
公开/授权文献
- CN114721235A 半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置 公开/授权日:2022-07-08
IPC分类: