发明授权
- 专利标题： 一种电容阵列结构
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申请号： CN202210427945.6申请日： 2022-04-22
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公开(公告)号： CN114726374B公开(公告)日： 2024-04-30
- 发明人: 朱春艳 , 张超
- 申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1201
- 专利权人： 深圳市灵明光子科技有限公司
- 当前专利权人： 深圳市灵明光子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1201
- 代理机构： 深圳市深佳知识产权代理事务所
- 代理商 张晓
- 主分类号： H03M1/46
- IPC分类号： H03M1/46 ; G06F30/392
摘要：
本申请实施例公开了一种电容阵列结构，包括n个分裂电容，所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2n‑1个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧；所述每个分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起。
公开/授权文献
- CN114726374A 一种电容阵列结构 公开/授权日：2022-07-08