发明公开
CN114743975A 一种鳍式浮栅存储器件
审中-实审
- 专利标题： 一种鳍式浮栅存储器件
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申请号： CN202210333550.X申请日： 2022-03-31
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公开(公告)号： CN114743975A公开(公告)日： 2022-07-12
- 发明人: 王浩 , 钱烽 , 何哲 , 马国坤
- 申请人： 湖北大学 , 湖北江城实验室
- 申请人地址： 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- 专利权人： 湖北大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人： 湖北大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- 代理机构： 北京金智普华知识产权代理有限公司
- 代理商 张文俊
- 主分类号： H01L27/11517
- IPC分类号： H01L27/11517 ; H01L27/11521 ; H01L29/423
摘要：
本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。
IPC分类:
