公开(公告)号：CN114743975A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210333550.X

申请日：2022-03-31

申请人： 湖北大学 ,  湖北江城实验室

发明人： 王浩 ,  钱烽 ,  何哲 ,  马国坤

IPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。

公开(公告)号：CN117174742A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310947189.4

申请日：2023-07-31

申请人： 湖北大学

发明人： 马国坤 ,  钱烽 ,  何哲 ,  王浩 ,  彭小牛 ,  桃李 ,  段金霞 ,  饶毅恒

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H10B41/30

摘要： 本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道的两端均延伸出隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，并分别与源极和漏极相接触；源极和漏极均设置在衬底上，且两极不接触；各纳米线结构由下向上依次设置在两极之间。本发明可以提高浮栅器件的可靠性，解决在沟道内掺杂难以实现与传统常规器件一样均匀的问题，并且也可以解决在源漏施加偏压后两个电极间的平行电场自上而下慢慢减弱，沟道电子注入的难度逐渐增加的问题。