发明公开
- 专利标题: 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法
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申请号: CN202210538173.3申请日: 2022-05-18
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公开(公告)号: CN114808076A公开(公告)日: 2022-07-29
- 发明人: 孙新明 , 朱伟晨 , 王建中 , 冒慧敏 , 李姜红 , 王贵州 , 金学军
- 申请人: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市通州区平潮镇通扬南路518号; ;
- 专利权人: 南通海星电子股份有限公司,南通海一电子有限公司,宁夏海力电子有限公司
- 当前专利权人: 南通海星电子股份有限公司,南通海一电子有限公司,宁夏海力电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市通州区平潮镇通扬南路518号; ;
- 代理机构: 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 卢华强
- 主分类号: C25D11/12
- IPC分类号: C25D11/12 ; C25F3/04 ; C23F1/20 ; C25D11/16 ; C25D11/18 ; C25D11/08 ; C23F17/00
摘要:
本发明涉及弯曲性能良好电极箔的制备方法,步骤如下:腐蚀箔的制备;将腐蚀箔浸于含有N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中,微电流下进行化成,制成一级化成箔;将一级化成箔浸于含有超量缓蚀剂的二次化成液中,制成二级化成箔;对二级化成箔进行水洗,且烘干处理;经冷却后,即得电极箔成品。在一次化成阶段,N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐产生同离子协同效应使得一级化成液在腐蚀箔表面形成均匀的双电层,使得腐蚀从蚀刻坑中均匀铺展开,从而使得腐蚀反应得以匀速进行,进而有效地减少了残芯过度腐蚀现象,使得成品电极箔的弯曲性能得到大幅度地提升。
公开/授权文献
- CN114808076B 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法 公开/授权日:2023-07-14