本发明公开了一种晶圆加工方法，该方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面的边缘区域形成第一光刻胶；在所述晶圆表面涂覆第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶，所述第一光刻胶与所述第二光刻胶的性质不同；利用掩膜对所述第二光刻胶进行曝光显影，以在所述晶圆表面以及所述第一光刻胶上形成图形化的第二光刻胶；基于所述图形化的第二光刻胶以及第一光刻胶，对所述晶圆进行刻蚀，以在所述晶圆上形成与所述第一光刻胶以及所述图形化的第二光刻胶对应的图案。上述方案，有效避免了晶圆边缘图形造成缺陷，扩大了晶圆表面图形的形成范围，增加了晶圆内制备器件的有效面积，提升了半导体器件的产能。