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公开(公告)号：CN114355731B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN113496908B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010270702.7
申请日：2020-04-08
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本公开提供了一种半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备，包括如下步骤：提供一个半导体器件组；根据检查规则检测所述半导体器件组，使得所述半导体器件组中的各个半导体器件的检测步骤数量均一化。其中各个检测步骤组中的某两个或者多个检测步骤，不会都测量同一个半导体器件组中的同一个半导体器件。这种情况下，检测步骤组中的其他检测步骤则被省略。对于每个检测步骤，根据该检测步骤的预设检查概率，当该检测步骤被连续两个以上的半导体器件排除时，在下一个半导体器件执行该检测步骤。本公开的优点在于，使每个半导体器件组的测量次数均一化；使每个半导体器件组的整体工艺时间均一化。
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公开(公告)号：CN117000718A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210460734.2
申请日：2022-04-28
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于清洗设备技术领域，具体涉及一种石英管清洗设备。本申请中的石英管清洗设备包括机体、安装座和至少一个供给管，安装座设于机体内，供给管包括第一管部和第二管部，第二管部与安装座相连，第一管部套设于第二管部的内部，第一管部能够在压力作用下沿第二管部的轴向方向运动，第一管部设有至少一个第一喷孔，且第一喷孔与第一管部的轴向方向成角度设置。根据本申请中的石英管清洗设备，能够有效地对石英管的内壁面进行清洗，同时使石英管的内壁面各位置的清洁度保持一致。
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公开(公告)号：CN114054288B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010761685.7
申请日：2020-07-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN112071685B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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公开(公告)号：CN111929990B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010761593.9
申请日：2020-07-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请公开了一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法，该防硫酸铵系统包括：薄膜，设置于掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；氢离子捕捉器，通过两条管道分别与所述密闭空间的两侧相连通；该氢离子捕捉器包括：壳体、设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器。本申请的防硫酸铵系统，能够通过氢离子捕捉器去除空气中的氢离子，向薄膜与掩模版所围成的密闭空间内输入过滤掉氢离子的空气，通过空气将胶片在曝光时产生的氨排出，从而防止有害硫酸铵的生成，避免产生硫酸铵附着在胶片上的情况。
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公开(公告)号：CN115078941A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110267691.1
申请日：2021-03-12
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供的一种半导体设备自动化维护检测系统以及方法，涉及半导体技术领域，包括：获取单元用于获取半导体设备中包含的工艺单元的列表信息；记录单元用于获取每个工艺单元的维护记录，并根据该维护记录生成历史维护信息；处理单元用于根据历史维护信息对全部工艺单元进行分类，并根据该分类的结果生成分类维护信息；计划单元用于根据分类维护信息对每个工艺单元生成对应的维护计划，并根据维护计划生成维护控制信息。在上述技术方案中，在自动控制下可以保证不同工艺单元中的零部件均能够得到及时且正确的维护检测控制，保证零部件在发生问题前得到及时的维护处理，保证半导体设备能够正常运转，形成良好的工作状态。
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公开(公告)号：CN115020323A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110245925.2
申请日：2021-03-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/108
摘要： 本公开提供了图案形成方法、数据线接触部形成方法及器件的制造方法，图案形成方法可包括如下步骤。提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一膜层，以及沿第一方向在第一膜层上形成第一图案。在第一膜层上形成第二膜层，并沿第二方向在第二膜层上形成第二图案。其中，第二方向与第一方向相交设置。将具有第一图案的第一膜层和具有第二图案的第二膜层为掩模，对半导体衬底进行刻蚀，以形成条形凹槽图案，可见本公开能够在半导体衬底上的指定位置形成多个条形凹槽。与常规圆形图案形式的数据线接触部相比，本公开的技术方案能够提供线条/空隙图案形式的数据线接触部，具有结构尺寸更小、图案裕量更大及降低了半导体器件的加工难度等优点。
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公开(公告)号：CN114955879A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110217402.7
申请日：2021-02-26
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种晶圆运输防撞系统及晶圆运输防撞方法，该晶圆运输防撞系统包括运输装置，监测装置和控制装置，运输装置包括轨道和以可滑动的方式设置在轨道上的天车；监测装置安装在天车上，监测装置用于监测天车周围多个方向的障碍物；控制装置与监测装置和天车分别通信连接，控制装置用于根据监测装置传递的信号控制天车的运行；本申请提出的晶圆运输防撞系统通过在天车上设置监测多个方向的障碍物的监测装置，提高了天车移动时的安全性，防止天车与障碍物碰撞，降低或消除了晶圆运输过程中存在的安全隐患。
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公开(公告)号：CN114883327A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110161345.5
申请日：2021-02-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种DRAM及其制造方法。包括半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；存储节点接触部，形成在所述突起结构上；着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。本申请实施例通过设置突起结构，使得突起结构和存储节点接触部之间的电连接更加的紧密，避免两者无法连接或者部分连接导致的接触不良。
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