半导体结构及其形成方法

发明公开

请登陆查看更多内容

专利标题： 半导体结构及其形成方法
申请号： CN202210124937.4

申请日： 2022-02-10
公开(公告)号： CN114883268A

公开(公告)日： 2022-08-09
发明人: 吴咏捷 , 何彦忠 , 魏惠娴 , 游嘉榕 , 许秉诚 , 杨丰诚 , 林仲德
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
代理商 顾伯兴
优先权： 63/173,119 20210409 US 17/523,044 20211110 US
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092

摘要：

一种半导体结构及其形成方法。薄膜晶体管包括位于基底之上的有源层、包括第一栅极介电质及第一栅极电极的堆叠且位于有源层的第一表面上的第一栅极堆叠，接触有源层的第一表面的周边部分且沿第一水平方向以第一栅极电极彼此横向地间隔开的一对第一接触电极、接触有源层的与有源层的第一表面垂直地间隔开的第二表面的第二接触电极，以及包括第二栅极介电质及第二栅极电极的相应堆叠且位于有源层的第二表面的相应周边部分上的一对第二栅极堆叠。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS