本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种DRAM及其制造方法。包括半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；存储节点接触部，形成在所述突起结构上；着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。本申请实施例通过设置突起结构，使得突起结构和存储节点接触部之间的电连接更加的紧密，避免两者无法连接或者部分连接导致的接触不良。