发明公开
- 专利标题: 一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法
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申请号: CN202210550326.6申请日: 2022-05-20
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公开(公告)号: CN114885108A公开(公告)日: 2022-08-09
- 发明人: 李婷 , 何杰 , 张曼 , 杨靓 , 徐晚成 , 曹天骄 , 崔双韬 , 袁昕 , 刘晓轩 , 张凯
- 申请人: 西安微电子技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
- 专利权人: 西安微电子技术研究所
- 当前专利权人: 西安微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 崔方方
- 主分类号: H04N5/374
- IPC分类号: H04N5/374 ; H01L27/146
摘要:
本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法,包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元;对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号,将其传输至比较单元一输入端,DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器,将斜坡信号传输至比较单元另一输入端,斜坡信号大于输入信号时,比较单元产生翻转信号,寄存处理单元存储此时的数字码值,对其进行处理后,将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能,避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数,有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象,提升了温度敏感型图像传感器性能。