本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一导电图案，其中第一导电图案包括第一导电线和第二导电线。可在第一导电图案的第一导电线和第二导电线之上共形的形成阻障层。可在阻障层之上形成绝缘层。可将绝缘层图案化以在第一导电图案的导电线之间形成开口，可在开口中形成第二导电图案。第二导电图案可包括通过阻障层与第一导电图案物理分离的第三导电线。阻障层的存在降低了在第一导电图案和第二导电图案之间形成短路的风险。在这个意义上，第二导电图案可相对于第一导电图案自对准。