- 专利标题： 一种氧含量可控的片层状SiOx材料的制备方法及其应用
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申请号： CN202210588013.X申请日： 2022-05-26
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公开(公告)号： CN114927662B公开(公告)日： 2024-06-11
- 发明人: 杜春雨 , 王世冠 , 肖让 , 任阳 , 周岩 , 霍华 , 尹鸽平 , 左朋建 , 程新群 , 马玉林 , 高云智
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 符继超
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M10/0525 ; H01G11/46
摘要：
本发明公开了一种氧含量可控的SiOx材料的制备方法及其应用，涉及能源材料技术领域，所述制备方法为：将含硅盐放在含有低温熔盐和含氧化合物的混合物中，经过熔盐剥离和化学氧化后，得到片层状SiOx材料，然后依次用盐酸、去离子水清洗得到精制的片层状SiOx材料。本发明的制备方法易于大批量制备，得到的片层状SiOx材料可以用作锂离子电池的负极材料，并且能够表现出优异的电化学性能。
公开/授权文献
- CN114927662A 一种氧含量可控的片层状SiOx材料的制备方法及其应用 公开/授权日：2022-08-19