发明公开
- 专利标题: 一种具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜及其制备方法
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申请号: CN202111541267.8申请日: 2021-12-16
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公开(公告)号: CN114958373A公开(公告)日: 2022-08-30
- 发明人: 徐旭辉 , 刘志超 , 吴涛 , 余雪 , 邱建备
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 代理机构: 天津煜博知识产权代理事务所
- 代理商 朱维
- 主分类号: C09K11/80
- IPC分类号: C09K11/80 ; C09K11/02 ; G01L1/24
摘要:
本发明涉及一种具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜及其制备方法,属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的SrCO3、Al2O3、Eu2O3和M进行研磨混匀得到混合粉料A;其中M为N的氧化物,M为Tm2O3、Nd2O3、MnO2、CeO2、Pr6O11、Dy2O3或Ho2O3;混合粉料A置于温度为1250~1350℃、氮气‑氢气混合气氛中高温烧结6‑8h,研磨得到Sr4Al14O25:Eu2+,N应力发光粉体;其中N=Tm3+、Nd3+、Mn2+、Ce3+、Pr3+、Dy3+或Ho3+;Sr4Al14O25:Eu2+,N应力发光粉与PDMS胶体混合均匀得到混合胶状液体,再将混合胶状液体置于模具中,在温度为60~80℃下加热处理4~8h,得到具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜。本发明压力记忆传感特性的应力发光薄膜具有丰富的缺陷态及较强的应力发光强度,能够记忆具有高曲面度的机械构件的应力分布情况。
公开/授权文献
- CN114958373B 一种具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜及其制备方法 公开/授权日:2023-10-03