一种用于检测零部件传送速度的力致发光材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119552652A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411699231.6

    申请日:2024-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于检测零部件传送速度的力致发光材料及其制备方法和应用,属于速率检测技术领域,本发明采用高温固相法合成了CaF2∶x1%Tm3+,CaF2∶x2%Eu3+,CaF2∶x3%Tb3+三种荧光粉;基于这3种不同离子寿命调控荧光粉复合比例;将这3种应力发光荧光粉与PDMS复合制备成基于应力发光速率检测的薄膜,使其在施加应力条件下,具备蓝色到红色的应力发光性能;由于发射中心的不同寿命,这些材料在相同的摩擦力旋转速度下表现出不同的ML拖尾长度;通过将这些RGB ML荧光粉整合到复合薄膜中,不同颜色的ML拖尾长度差异变得可见,这些差异随着旋转速度的增加而增加。最终,基于不同速度下ML拖尾长度的鲜艳色彩变化,成功实现了使用RGB ML薄膜的轴承转速可视化。

    一种具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114958373A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111541267.8

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明涉及一种具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜及其制备方法,属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的SrCO3、Al2O3、Eu2O3和M进行研磨混匀得到混合粉料A;其中M为N的氧化物,M为Tm2O3、Nd2O3、MnO2、CeO2、Pr6O11、Dy2O3或Ho2O3;混合粉料A置于温度为1250~1350℃、氮气‑氢气混合气氛中高温烧结6‑8h,研磨得到Sr4Al14O25:Eu2+,N应力发光粉体;其中N=Tm3+、Nd3+、Mn2+、Ce3+、Pr3+、Dy3+或Ho3+;Sr4Al14O25:Eu2+,N应力发光粉与PDMS胶体混合均匀得到混合胶状液体,再将混合胶状液体置于模具中,在温度为60~80℃下加热处理4~8h,得到具有压力记忆传感特性的应力发光薄膜。本发明压力记忆传感特性的应力发光薄膜具有丰富的缺陷态及较强的应力发光强度,能够记忆具有高曲面度的机械构件的应力分布情况。

    一种高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN113061362B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202110371624.4

    申请日:2021-04-07

    Abstract: 本发明涉及一种高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层的制备方法,属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的SrCO3、Ga2O3和Tb4O7进行研磨混匀得到混合粉料A;混合粉料A置于温度为1300~1350℃、还原气氛中高温烧结6~8h,研磨得到SrGa2O4:Tb3+应力发光粉;SrGa2O4:Tb3+应力发光粉与PDMS胶体混合均匀得到混合液体,混合液体均匀涂覆在球体表面,保鲜膜包覆后加热固化涂覆层的胶体,得到高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层。本发明SrGa2O4:Tb3+应力发光材料在紫外激发下具有优异的应力发光性能,其作为涂覆球体表面后可产生高灵敏机械刺激响应的应力发光。

    一种LED植物灯发光芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN113224222A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110499286.2

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明涉及一种LED植物灯发光芯片的制备方法,属于LED植物发光技术领域。本发明将高纯的B2O3、SiO2、ZnO、Cs2CO3、CrCO3、NaBr、NaI、PbBr2和PbI进行研磨得到混合粉料A;混合粉料A置于温度为1200‑1300℃、空气氛围中高温熔融11‑13min,浇注到预热铜板上,冷却成型得到前驱体玻璃;前驱体玻璃依次经高温去应力处理和高温热处理得到CsPbBrxI(3‑x)微晶玻璃,其中0<x<3;CsPbBrxI(3‑x)微晶玻璃研磨成粉末,并封装在蓝光LED芯片上,凝固烘干6‑10h即得LED植物灯发光芯片。本发明利用长余辉体系和LED荧光粉体系相结合,LED植物灯发光芯片具有高发光强度与效率,可在长期在高湿度环境中使用并保持原有的发光强度,具有高发光亮度、高发光效率,高化学稳定性和促进植物生长发育等特点。

    一种红色长余辉发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110452696A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910763267.9

    申请日:2019-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种红色长余辉发光材料及其制备方法,属于稀土发光材料技术领域。本发明的红色长余辉发光材料,化学式为Na2Ca1-xGe6O14:xPr3+,其中0.003≤x≤0.015;本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Pr6O11进行湿磨得到混合粉料;将混合粉料置于温度为1050-1150℃、空气氛围中焙烧Pr63+~掺8h杂,冷Na却2C至a室Ge温6O,1研4长磨余即辉得发红光色材长料余,通辉过发调光整材稀料土。本掺发杂明浓度从而调整其缺陷态结构,实现红色长余辉发光,在室温下撤去激发光源后达到640 s的红色长余辉发光。

    一种低温红色长余辉发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109575920A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811554883.5

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种低温红色长余辉发光材料及其制备方法,属于稀土发光材料技术领域。本发明的低温红色长余辉发光材料,化学式为Na1-xNbO3:xPr3+,其中0.004≤x≤0.016;本发明将高纯的Na2CO3、Nb2O5、Pr6O11和H3BO3进行湿磨得到混合粉料;将混合粉料置于温度为1100~1200℃、空气氛围料中。本焙发烧明6~P8rh3+,掺冷杂却N至a室Nb温O3,长研余磨辉即发得光低材温料红,色通长过余稀辉土发掺光杂材及引入H3BO3调整其缺陷态结构,实现低温红色长余辉发光,在200K温度下撤去激发光源后达到16小时的红色长余辉发光。

    一种红色光激励荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109233824A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810941596.3

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开一种红色光激励荧光材料及其制备方法,红色光激励荧光材料为固溶体,其化学通式为Ba1-x-yZrGe3O9:xEu3+,yPr3+,其中x=0.005,0.0025≤y≤0.01,红色光激励荧光材料的平均粒径为3~5微米,其主相结构属于单斜晶系,其制备方法是将BaCO3、ZrO2、GeO2、Eu2O3、Pr6O11按照最终制得的荧光材料的化学通式备料混匀,焙烧并研磨后得到红色光激励荧光材料;本发明所制备的红色光激励荧光材料波长峰值在630nm左右,属于第一生物窗口,具有穿透性好、衰减较弱等特点,因此有在防伪、生物医学等领域的潜在应用。

    一种多模态发光的无铅双钙钛矿材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113025327B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110321014.3

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种多模态发光的无铅双钙钛矿材料及其制备方法,属于钙钛矿闪烁体材料技术领域。本发明多模态发光的无铅双钙钛矿材料,化学式为Cs2NaBiCl6:Yb3+,Er3+。本发明利用水热法合成Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料,可解决铅基钙钛矿的毒性和稳定性差的问题;通过稀土离子镱、铒的掺杂,在980nm激光器的激发下实现高亮度绿色发光,在375nm紫外激发下实现发光颜色可调谐,在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下实现优异的绿色发光,经高能X射线连续60次循环(3600s)辐射后,仍可保持较高的亮度;本发明无铅双钙钛矿材料为多模态激发发光的荧光材料,实现单一基质Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料在信息安全、荧光显示及X射线探测等领域的应用。

    一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用

    公开(公告)号:CN112028117B

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202010981225.5

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用,属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶,在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶,将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合,涂覆在PVC板(100mm×200mm)上,在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光,使得在X射线下呈现出清晰的物像;并且经1mGy·s‑1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后,仍可保持长期的光学稳定性,进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。

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