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公开(公告)号：CN113025327B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110321014.3
申请日：2021-03-25
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/74
摘要： 本发明公开了一种多模态发光的无铅双钙钛矿材料及其制备方法，属于钙钛矿闪烁体材料技术领域。本发明多模态发光的无铅双钙钛矿材料，化学式为Cs2NaBiCl6:Yb3+,Er3+。本发明利用水热法合成Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料，可解决铅基钙钛矿的毒性和稳定性差的问题；通过稀土离子镱、铒的掺杂，在980nm激光器的激发下实现高亮度绿色发光，在375nm紫外激发下实现发光颜色可调谐，在X射线(管电压40KV，管电流30mA)激发下实现优异的绿色发光，经高能X射线连续60次循环(3600s)辐射后，仍可保持较高的亮度；本发明无铅双钙钛矿材料为多模态激发发光的荧光材料，实现单一基质Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料在信息安全、荧光显示及X射线探测等领域的应用。
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公开(公告)号：CN113224222B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110499286.2
申请日：2021-05-08
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种LED植物灯发光芯片的制备方法，属于LED植物发光技术领域。本发明将高纯的B2O3、SiO2、ZnO、Cs2CO3、CrCO3、NaBr、NaI、PbBr2和PbI进行研磨得到混合粉料A；混合粉料A置于温度为1200‑1300℃、空气氛围中高温熔融11‑13min，浇注到预热铜板上，冷却成型得到前驱体玻璃；前驱体玻璃依次经高温去应力处理和高温热处理得到CsPbBrxI(3‑x)微晶玻璃，其中0＜x＜3；CsPbBrxI(3‑x)微晶玻璃研磨成粉末，并封装在蓝光LED芯片上，凝固烘干6‑10h即得LED植物灯发光芯片。本发明利用长余辉体系和LED荧光粉体系相结合，LED植物灯发光芯片具有高发光强度与效率，可在长期在高湿度环境中使用并保持原有的发光强度，具有高发光亮度、高发光效率，高化学稳定性和促进植物生长发育等特点。
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公开(公告)号：CN113025327A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110321014.3
申请日：2021-03-25
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/74
摘要： 本发明公开了一种多模态发光的无铅双钙钛矿材料及其制备方法，属于钙钛矿闪烁体材料技术领域。本发明多模态发光的无铅双钙钛矿材料，化学式为Cs2NaBiCl6:Yb3+,Er3+。本发明利用水热法合成Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料，可解决铅基钙钛矿的毒性和稳定性差的问题；通过稀土离子镱、铒的掺杂，在980nm激光器的激发下实现高亮度绿色发光，在375nm紫外激发下实现发光颜色可调谐，在X射线(管电压40KV，管电流30mA)激发下实现优异的绿色发光，经高能X射线连续60次循环(3600s)辐射后，仍可保持较高的亮度；本发明无铅双钙钛矿材料为多模态激发发光的荧光材料，实现单一基质Cs2NaBiCl6无铅双钙钛矿材料在信息安全、荧光显示及X射线探测等领域的应用。
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公开(公告)号：CN112028117B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010981225.5
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用，属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶，在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶，将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合，涂覆在PVC板(100mm×200mm)上，在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s‑1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
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公开(公告)号：CN110437828B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910763272.X
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种绿色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的绿色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1‑xGe6O14:xTb3+，其中0.005≤x≤0.035；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Tb4O7进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050‑1150℃、空气氛围中焙烧6~8h，冷却至室温，研磨即得绿色长余辉发光材料。本发明Tb3+掺杂Na2CaGe6O14长余辉发光材料，通过稀土掺杂调整其缺陷态结构，实现绿色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到218 s的绿色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN113061362A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110371624.4
申请日：2021-04-07
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09D5/22 , C09D183/04 , C09K11/62 , C09K11/02
摘要： 本发明涉及一种高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层的制备方法，属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的SrCO3、Ga2O3和Tb4O7进行研磨混匀得到混合粉料A；混合粉料A置于温度为1300～1350℃、还原气氛中高温烧结6～8h，研磨得到SrGa2O4:Tb3+应力发光粉；SrGa2O4:Tb3+应力发光粉与PDMS胶体混合均匀得到混合液体，混合液体均匀涂覆在球体表面，保鲜膜包覆后加热固化涂覆层的胶体，得到高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层。本发明SrGa2O4:Tb3+应力发光材料在紫外激发下具有优异的应力发光性能，其作为涂覆球体表面后可产生高灵敏机械刺激响应的应力发光。
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公开(公告)号：CN113046076A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110321040.6
申请日：2021-03-25
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种原位制备钙钛矿闪烁体薄膜的方法，属于无机钙钛矿技术领域。本发明将高纯PbX2,X＝Cl或Br或I加入到N,N‑二甲基甲酰胺或二甲基亚砜中高温搅拌得到溶液A，将高纯CsX,X＝Cl或Br或I加入到N,N‑二甲基甲酰胺或二甲基亚砜中高温搅拌得到溶液B，将胶体颗粒到N,N‑二甲基甲酰胺或二甲基亚砜中高温搅拌得到胶体C；溶液A、溶液B加入到胶体C中，在温度100℃～120℃下搅拌得到钙钛矿聚合物前驱体；钙钛矿聚合物前驱体旋涂至预处理的玻璃基板上得到预成型钙钛矿薄膜，经退火处理得到透明钙钛矿闪烁体薄膜CsPbX3,X＝Cl或Br或I。本发明采用三步法原位制备CsPbX3,X＝Cl或Br或I钙钛矿薄膜，具有高的透明度和稳定性，可用于X射线成像。
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公开(公告)号：CN112028117A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010981225.5
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用，属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶，在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶，将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合，涂覆在PVC板(100mm×200mm)上，在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s-1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
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公开(公告)号：CN110437828A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910763272.X
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种绿色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的绿色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1-xGe6O14:xTb3+，其中0.005≤x≤0.035；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Tb4O7进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050-1150℃、空气氛围中焙烧Tb63~+掺8h杂，冷N却a2C至a室Ge温6O，1研4长磨余即辉得发绿光色材长料余，通辉过发稀光土材掺料杂。本调发整明其缺陷态结构，实现绿色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到218 s的绿色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN109852374A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910036170.8
申请日：2019-01-15
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种三基色长余辉荧光PIG材料的制备方法，属于稀土材料发光领域。本发明将高纯ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+、CaAl2O:Eu2+,Nd3+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+和硼硅酸盐系玻璃粉混合并进行干磨混匀处理30～60min得到混合粉体；将混合粉体置于温度为600～750℃条件下烧结处理5～30min，再置于温度为150～200℃条件下保温处理10～15min，冷却至室温，研磨得到红蓝绿三基色长余辉荧光PIG材料。本发明的三基色长余辉荧光PIG材料可大幅提升长余辉荧光材料的物理稳定性和化学稳定性，扩展长余辉荧光材料的应用领域。
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