发明公开
- 专利标题: 一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法
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申请号: CN202210597532.2申请日: 2022-05-26
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公开(公告)号: CN114964590A公开(公告)日: 2022-08-30
- 发明人: 申华海 , 邹成琴 , 李慕鸿 , 周晓松
- 申请人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构: 中国工程物理研究院专利中心
- 代理商 任荣坤
- 主分类号: G01L5/00
- IPC分类号: G01L5/00
摘要:
本发明公开了一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法。该方法包括以下步骤:(1)聚焦离子束法制备厚度小于100纳米的氚化物透射电镜样品;(2)纳米尺度上确定待分析显微区域并使其处于正带轴状态;(3)设置透射电镜光路旨在获得显微区域内某点的纳米衍射谱;(4)设置纳米衍射谱面扫描分辨率和采集时间并开始采集待分析区域的纳米衍射面扫描;(5)以起始点纳米衍射谱中低指数晶面衍射斑为基准,计算面扫描中各相同衍射斑的矢量偏移情况,得出氚化物的微区应力分布。该方法分析得出了氚化物中纳米尺度氦泡区域微区残余应力分布,不仅对揭示氚化物中氦泡演化机理有重要意义,还在材料微区残余应力显微分析领域具有重要的应用前景。
公开/授权文献
- CN114964590B 一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法 公开/授权日:2023-08-18