Invention Grant
CN1149666C 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
- Patent Title (English): Silicon nitride ceramic circuit substrate and semiconductor device using the same
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Application No.: CN96114418.1Application Date: 1996-09-27
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Publication No.: CN1149666CPublication Date: 2004-05-12
- Inventor: 加曾利光男 , 堀口昭宏 , 角野裕康 , 上野文雄
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 萧掬昌; 张志醒
- Priority: 250317/1995 1995.09.28 JP; 070012/1996 1996.03.26 JP
- Main IPC: H01L23/15
- IPC: H01L23/15 ; C04B35/58
Abstract:
本申请公开了一种包括室温下的热导率为80W/mK以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。
Public/Granted literature
- CN1155759A 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件 Public/Granted day:1997-07-30
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IPC分类:
