-
公开(公告)号：CN1149666C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96114418.1
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C04B35/645 , C03C8/24 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/025 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/447 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/592 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K3/38 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80W/mK以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN100438165C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610071075.4
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/04208 , H01M8/04007 , H01M8/04194 , H01M8/04268 , H01M8/04365 , H01M8/04447 , H01M8/04731 , H01M8/04798 , H01M8/0491 , H01M2250/30 , Y02B90/18 , Y02P70/56
Abstract: 一种直接甲醇燃料电池系统，包括：发电单元；燃料容器，连接到该发电单元并且容纳第一燃料，该第一燃料是甲醇水溶液；补充容器，连接到该燃料容器并且容纳第二燃料，该第二燃料是甲醇或浓度高于该第一燃料之浓度的甲醇水溶液；和控制单元，被构成为减小该第一燃料的浓度和该发电单元的电压，直到该发电单元的温度上升到预设温度值。
-
公开(公告)号：CN1149667C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96121115.6
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C04B41/009 , C04B35/5935 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/265 , C04B41/4525 , C04B41/5027 , C04B41/4529 , C04B41/522 , C04B41/0072 , C04B41/4501 , C04B41/4517 , C04B41/5127 , C04B41/5144 , C04B41/5155 , C04B35/584 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素。及用该衬底的半导体器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151612A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96121115.6
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C04B41/009 , C04B35/5935 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/265 , C04B41/4525 , C04B41/5027 , C04B41/4529 , C04B41/522 , C04B41/0072 , C04B41/4501 , C04B41/4517 , C04B41/5127 , C04B41/5144 , C04B41/5155 , C04B35/584 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素，及用该衬底的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN101276915B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810086933.1
申请日：2008-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M8/1011 , H01M8/0234 , H01M8/0239 , H01M8/0243 , H01M8/0245 , Y02E60/523
Abstract: 本发明提供一种直接甲醇型燃料电池，其不妨害在高电流密度区的顺利的电流利用，可充分确保电池输出，作为燃料电池可确保长时间的稳定性。本发明所述的直接甲醇型燃料电池具备：在阳极催化层(20)和阳极GDL层(70)之间设置的第1燃料调整层(40)、第2燃料调整层(50)、第3燃料调整层(60)，第3燃料调整层(60)具有比第2燃料调整层(50)小的细孔，第1燃料调整层(40)具有比第2燃料调整层(50)小的细孔、并具有比第3燃料调整层(60)大的细孔。
-
公开(公告)号：CN1841825A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071075.4
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/04208 , H01M8/04007 , H01M8/04194 , H01M8/04268 , H01M8/04365 , H01M8/04447 , H01M8/04731 , H01M8/04798 , H01M8/0491 , H01M2250/30 , Y02B90/18 , Y02P70/56
Abstract: 一种直接甲醇燃料电池系统，包括：发电单元；燃料容器，连接到该发电单元并且容纳第一燃料，该第一燃料是甲醇水溶液；补充容器，连接到该燃料容器并且容纳第二燃料，该第二燃料是甲醇或浓度高于该第一燃料之浓度的甲醇水溶液；和控制单元，被构成为减小该第一燃料的浓度和该发电单元的电压，直到该发电单元的温度上升到预设温度值。
-
公开(公告)号：CN101276915A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086933.1
申请日：2008-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M8/1011 , H01M8/0234 , H01M8/0239 , H01M8/0243 , H01M8/0245 , Y02E60/523
Abstract: 本发明提供一种直接甲醇型燃料电池，其不妨害在高电流密度区的顺利的电流利用，可充分确保电池输出，作为燃料电池可确保长时间的稳定性。本发明所述的直接甲醇型燃料电池具备：在阳极催化层(20)和阳极GDL层(70)之间设置的第1燃料调整层(40)、第2燃料调整层(50)、第3燃料调整层(60)，第3燃料调整层(60)具有比第2燃料调整层(50)小的细孔，第1燃料调整层(40)具有比第2燃料调整层(50)小的细孔、并具有比第3燃料调整层(60)大的细孔。
-
公开(公告)号：CN1155759A
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：CN96114418.1
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00
CPC classification number: C04B35/645 , C03C8/24 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/025 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/447 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/592 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K3/38 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80w/mk以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.643 seconds)
