本发明公开了一种基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有HEMT器件势垒层Al组分及二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和势垒层(4)，该势垒层的两端分别设有漏源电极(6，7)，中间设有栅电极(8)，势垒层未淀积电极的位置处为栅介质层(5)，其上设有Si3N4钝化层(9)，该势垒层采用AlGaSbN材料，以增加Al组分，实现与GaN缓冲层(3)的晶格匹配；该栅介质层采用SiO2材料，以减小栅极漏电。本发明提升了二维电子气的浓度和工作效率，可用来制作GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件。