发明授权
- 专利标题： InP生长速率测量方法及装置
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申请号： CN202210951538.5申请日： 2022-08-09
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公开(公告)号： CN115020268B公开(公告)日： 2023-01-03
- 发明人: 陶羽宇
- 申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 申请人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 专利权人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 徐立
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/02 ; C23C16/30
摘要：
本公开提供了一种InP生长速率测量方法及装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：采用原位测量法测量第一生长条件下InP的生长速率；获取原位测量法和XRD测量法分别测量第二生长条件下InP生长速率结果的比值；采用所述比值对原位测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率进行校准，得到采用XRD测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率。
公开/授权文献
- CN115020268A InP生长速率测量方法及装置 公开/授权日：2022-09-06
IPC分类:
