发明公开
- 专利标题： 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法
-
申请号： CN202210642162.X申请日： 2022-06-08
-
公开(公告)号： CN115020544A公开(公告)日： 2022-09-06
- 发明人: 扬川苏 , 许礼 , 许伟 , 李岩松 , 张中建 , 高荣刚 , 龚琴赟
- 申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 申请人地址： 江苏省镇江市新区北山路9号
- 专利权人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 当前专利权人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省镇江市新区北山路9号
- 代理机构： 北京创赋致远知识产权代理有限公司
- 代理商 汤磊
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/068
摘要：
本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，采用二次硼扩散，对经第一次硼扩散的正面使用含氟基刻蚀气体，获得指定深宽比且绒面损伤小的刻蚀图形，有利于在刻蚀图形区域上第二次硼扩散，从而在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，减少电池正面的复合，有效提高电池的开路电压与填充因子，实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。
IPC分类:
