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公开(公告)号：CN118652217A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410686600.1
申请日：2024-05-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C07D235/18 , H10K71/12 , H10K71/15 , H10K30/15 , C07D403/14 , H10K85/60
摘要： 本发明公开了一种星型结构有机界面修饰材料及其制备方法、在钙钛矿太阳能电池的应用，在氯苯中添加星型结构有机界面修饰材料，通过反溶剂法或旋涂法，应用于钙钛矿太阳能电池，一方面可以有效钝化钙钛矿表面及晶界处的缺陷，抑制电荷复合，另一方面可以与钙钛矿、空穴传输层形成能级梯度分布，有利于电荷的抽取与传输，此外，该材料具有较好的疏水性，作为界面修饰材料引入到钙钛矿太阳能电池中，可以隔离钙钛矿与水汽、氧气的接触，进而有效防止钙钛矿降解，提高钙钛矿太阳能电池器件的稳定性。本申请的技术可以提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，还可以增强电池的稳定性，为高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN118530163A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410686357.3
申请日：2024-05-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C07D209/88 , H10K30/86 , H10K30/50 , H10K85/60
摘要： 本发明公开了一种以3,9’‑联咔唑为核心结构的空穴传输材料及其制备方法、在钙钛矿太阳能电池的应用，通过分子工程手段对空穴传输材料的核心模块及外围基团进行导向性设计调变，来调控空穴传输材料的光电物理化学性质，具体是以C‑N偶联方式连接的3,9’‑联咔唑为核心结构，通过在6‑,3’‑,6’‑取代位连接外围取代基来调控分子共轭程度，得到小分子空穴传输材料，使材料具有非对称的分子结构，具有较大的分子偶极矩，可以有效增强分子间的相互作用，进而提升其电荷传输性能，此外，该材料具有合成简单、能级可调、高空穴迁移率和导电性、热稳定性和化学稳定性良好等优点，可以提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117183603A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311281854.7
申请日：2023-09-28
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本文提出了一种无主栅太阳能电池片和网版的印刷工艺，电池片的表面设有细栅线，丝网印刷是将浆料通过刮刀挤压式的印刷电池片表面，印刷网版包括细栅网版和胶点网版，电池片在经过前道工序后，在细栅线工序通过细栅网版图形完成细栅线的印刷，在组件端通过胶点网版再对电池片对应的位置印刷胶点，细栅线中部整列等距的设有若干细栅图形，细栅图形为横向的扁式线口，细栅图形的左右两端均与横向的一根细栅线相连，纵向的细栅图形之间的中心间距大于胶点的直径，所述的细栅图形与胶点纵向中线上纵向垂直贯穿的设有焊带，通过对接触点位置细栅线的冗余设计来避免胶覆盖栅线引起的接触电阻增加，提高对电流的收集能力，进而提高组件功率。
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公开(公告)号：CN116960203A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311072635.8
申请日：2023-08-23
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法，P型单晶硅片经碱刻蚀抛光后，在背面依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层，再局域激光开膜，接着依次沉积Al2O3层、氮化硅层，然后硅片清洗制绒，在正面沉积氮化硅层，再对背面激光开膜处局域激光刻蚀露出硅基体，最后在硅片背面，激光开膜区域印刷铝浆，负极栅线位置印刷栅线浆料，进行烧结，铝和硅接触形成合金，得到P+区域。本发明对IBC电池背面通过设置相互嵌套的P型掺杂区和N型掺杂区，缩小了重复单元的尺寸，降低了载流子从产生到被吸收的扩散距离，提高了电池转换效率；工艺步骤少，通过局域激光开膜的方式，简单的实现了P型掺杂区和N型掺杂区的有效隔离。
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公开(公告)号：CN114798702A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210489006.4
申请日：2022-05-07
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种PVB双玻组件回收方法，拆除组件上的接线盒、边框，将组件加热，用切刀沿胶膜与玻璃的界面切割出具有深度的初始切口，从初始切口对界面喷洒掺杂剂进行反应，并对玻璃施力，使玻璃逐步与胶膜剥离，连续喷洒和剥离操作，至玻璃与胶膜完全分离，对得到的胶膜‑电池片‑胶膜三层结构体上的胶膜表面打孔，然后整体放入预处理剂中浸泡，使胶膜与电池片完全分离。本发明针对PVB双玻组件的特性，通过特殊的方法和装置结合，弱化胶膜和玻璃界面之间、胶膜和电池片之间的粘接强度，不采用对胶膜整体切割的方法，实现胶膜与玻璃之间的有效、完整分离，基本消除胶膜在玻璃上的残留，剥离的速率可以得到较好保证，减少后续回收处理难度。
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公开(公告)号：CN114171643A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111462444.3
申请日：2021-12-02
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0236 , C30B33/10 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种选择性制绒异质结太阳能电池的制造方法，单晶硅片经预清洗、去损伤后，先对单晶硅片表面的选择性制绒区域以延缓材料制作延缓层，然后对单晶硅片制绒，制绒过程中，制绒液在选择性制绒区域先溶解延缓层，使得选择性制绒区域的绒面形成晚于无延缓层区域，则在单晶硅片上不同位置区域一次性形成至少两种绒面微结构，制绒后进行沉积、印刷栅线，即制得电池。本发明在同一片单晶硅片的同一表面上能够形成不同的绒面微结构，使得异质结太阳能电池在能够获得最佳的减反射效果的同时又可以极大的增强非晶硅钝化质量；延缓层可区别设置，一次性形成不同的绒面微结构，制绒过程可直接去除延缓层的延缓材料，减少生产流程，降低成本。
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公开(公告)号：CN118573103A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410688228.8
申请日：2024-05-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明涉及光伏组件技术领域，且公开了一种柔性组件弯折聚光装置，解决了现有柔性聚光光伏组件不能有效的调节光伏板的弯曲度，并且不能对光伏板进行清理，从而降低了电能输出效率的问题，其包括底板，所述底板顶部的两侧均固定安装有支撑杆，两个支撑杆互相靠近一侧的上部之间固定安装有轨道，底板顶部的中部固定安装有设备箱，设备箱的上部设有柔性聚光光伏板，柔性聚光光伏板的两端均固定安装有连接框，柔性聚光光伏板底部的中部固定安装有连接头，设备箱的内部设有弯曲调节机构；本柔性聚光光伏组件能够有效的调节光伏板的弯曲度，并且能够对光伏板进行清理，避免灰尘附着于表面，从而提高了电能的输出效率。
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公开(公告)号：CN115488095B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210963356.X
申请日：2022-08-11
申请人： 复旦大学 , 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片用臭氧清洗方法及装置，包括如下步骤：首先在内槽体中配制好清洗溶液a，再将装有硅片的硅片放置篮浸入装有清洗溶液a中的内槽体中；接着将清洗溶液b注入到增压水泵，再从喷嘴高速喷射出去，喷射出的清洗溶液b和清洗溶液a因为压强差的原因形成局部涡流使两者充分混合反应生成高浓度的羟基；本发明中通过喷嘴向浸在溶液a中的硅片表面喷射清洗溶液b，两种溶液在硅片表面充分混合不断产生高浓度的羟基，实现了羟基的即时制取、即时利用，解决了传统臭氧清洗中羟基由于半衰期极短难以发挥作用的问题，发挥了羟基和有机物反应速率快无选择性的优势，提高了臭氧清洗的清洗效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115241324B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210824378.8
申请日：2022-07-14
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片单片生产标识方法：将作为电池片硅衬底的硅片进行制绒，制绒后的硅片表面具有密布的金字塔绒面；以激光扫描硅片表面，在金字塔绒面上打码形成唯一化的编码，而后制作成电池片；将电池片具有编码的表面朝上，以编码为参照选择一组相对侧，一侧设置入射光照向编码，另一侧设置相机接收入射光经编码的反射光，从而读取并识别编码。该方法在硅片制绒工序以后进行激光扫描打码，对硅片损伤小，不影响绒面的减反射作用从而不会影响电池的效率，对硅片生产过程可追溯性早，对硅片可实现单片有效追溯，识别时增强了激光扫描区域与未扫描区域的对比度，降低了编码的识别难度，提高了编码的识别准确率。
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公开(公告)号：CN116914017A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310730264.1
申请日：2023-06-19
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的异质结电池制造方法，对异质结电池背面形成立体的层状电极，替代平面的电极结构，减少了电极的厚度，节省材料成本和工艺时间，减少了工艺步骤和图形化的工艺难度，不需要精确对准套印制作电极；利用PECVD沉积的台阶覆盖特性，通过一次在背面沉孔的不同位置实现不同厚度薄膜的沉积，平面和沉孔边缘位置沉积较厚的薄膜，能够避免两电极发生漏电，沉孔内壁和底部位置沉积较薄的薄膜，载流子能够隧穿过薄膜被电极收集。
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