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公开(公告)号：CN113161439A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110131145.5
申请日：2021-01-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种电池互联结构、组件及制备方法，包括电池、主栅、透明导电粘接层和焊带，所述的透明导电粘接层覆盖于主栅上，且透明导电粘接层的宽度大于主栅的宽度；所述的焊带压接于主栅上，透明导电粘接层的高度大于主栅及焊带的高度。本发明中，采用透明导电粘接层将焊带与主栅粘接固定，使得组件整体的工艺可靠性大幅提升。由于存在双层并联导电体，即使采用直径更低的焊带，根据1/R＝1/R1+1/R2，总电阻将得以大幅降低。得益于透明导电粘接层，电池网板设计可取消焊盘及防断栅结构，从而节约正银耗量；取消焊盘、缩小焊带直径的结构可以增加电池的受光面，提高单位面积所产生的功率输出。
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公开(公告)号：CN113161439B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110131145.5
申请日：2021-01-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种电池互联结构、组件及制备方法，包括电池、主栅、透明导电粘接层和焊带，所述的透明导电粘接层覆盖于主栅上，且透明导电粘接层的宽度大于主栅的宽度；所述的焊带压接于主栅上，透明导电粘接层的高度大于主栅及焊带的高度。本发明中，采用透明导电粘接层将焊带与主栅粘接固定，使得组件整体的工艺可靠性大幅提升。由于存在双层并联导电体，即使采用直径更低的焊带，根据1/R＝1/R1+1/R2，总电阻将得以大幅降低。得益于透明导电粘接层，电池网板设计可取消焊盘及防断栅结构，从而节约正银耗量；取消焊盘、缩小焊带直径的结构可以增加电池的受光面，提高单位面积所产生的功率输出。
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公开(公告)号：CN113938099B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111080931.3
申请日：2021-09-15
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H02S40/34
摘要： 一种具有疏水和散热功能的光伏接线盒包括接线盒和安装在接线盒内的二极管，所述接线盒的外侧设有疏水层，疏水层表面的微观结构为乳凸状结构，所述接线盒的内壁内掺杂有若干种导热粒子，接线盒的内壁上嵌设有两块左右对称的导热铜片，所述二极管的正极和负极分别与第一导热铜片和第二导热铜片相连。本光伏接线盒在接线盒表面增设了一层疏水层，通过疏水层与接线盒表面水滴之间大于150°的接触角，使水滴不会停留在疏水层表面，增强了接线盒的疏水性能，同时本光伏接线盒通过导热铜片和由多种导热粒子组成的导热通路，可以将接线盒内部的热量及时地向外排出，大大提高了接线盒的散热性能。
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公开(公告)号：CN114192489B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202111505989.8
申请日：2021-12-10
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种LPCVD石英舟的清洗方法，采用碱洗液对石英舟进行碱洗。对于TOPCon工艺流程中LPCVD非晶硅制备方法使用的石英舟，采用碱洗液对石英舟进行清洗，去除表面的非晶硅层，但碱洗液不会与石英舟本身的氧化硅反应，因此清洗过程、清洗程度容易控制，仅需控制充分碱洗去除非晶硅层和充分水洗去除碱洗液，不仅去除非晶硅层的效果好，还没有对石英舟本身刻蚀的风险，石英舟的使用寿命大幅提高；相比于酸洗液，碱洗液的用料成本低，无酸洗产生的氟排放和废水处理成本。
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公开(公告)号：CN115020544A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642162.X
申请日：2022-06-08
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，采用二次硼扩散，对经第一次硼扩散的正面使用含氟基刻蚀气体，获得指定深宽比且绒面损伤小的刻蚀图形，有利于在刻蚀图形区域上第二次硼扩散，从而在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，减少电池正面的复合，有效提高电池的开路电压与填充因子，实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114192489A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111505989.8
申请日：2021-12-10
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
发明人： 许礼 , 张中建 , 高荣刚 , 龚琴赟 , 其他发明人请求不公开姓名
摘要： 本发明公开了一种LPCVD石英舟的清洗方法，采用碱洗液对石英舟进行碱洗。对于TOPCon工艺流程中LPCVD非晶硅制备方法使用的石英舟，采用碱洗液对石英舟进行清洗，去除表面的非晶硅层，但碱洗液不会与石英舟本身的氧化硅反应，因此清洗过程、清洗程度容易控制，仅需控制充分碱洗去除非晶硅层和充分水洗去除碱洗液，不仅去除非晶硅层的效果好，还没有对石英舟本身刻蚀的风险，石英舟的使用寿命大幅提高；相比于酸洗液，碱洗液的用料成本低，无酸洗产生的氟排放和废水处理成本。
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公开(公告)号：CN113956663A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111245243.8
申请日：2021-10-26
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C08L83/04 , C08K9/10 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K3/08 , C08K3/26 , C08K5/544 , C08K5/5435 , C09K5/14
摘要： 本发明公开了一种提升光伏组件接线盒散热的定向高导热硅胶及其制备方法，包含按以下重量份配比的各原料：基础聚合物50～90份、导热填料40～70份、铁磁性填料15～25份、粘接剂5～15份、交联剂5～10份、催化剂1～2份、偶联剂10～20份。通过原料的选取、原料的配比、原料的形貌和粒径控制，以及制备过程控制，形成导热粒子并在定向磁场作用下堆砌形成导热通道，得到高导热硅胶，填充于光伏组件接线盒包裹其中的二极管，以增强其散热性能。
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公开(公告)号：CN112951935B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110134606.4
申请日：2021-01-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/068 , C09J123/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种双面电池组件，包括框架和自上而下依次叠层设于框架内的玻璃、上层胶膜、电池、下层胶膜、盖板。所述的下层胶膜的质量份组成如下：基体EVA树脂100份、改性纳米粒子0.1～30份、过氧化物交联剂0.01～2份、助交联剂0.1～5份、光稳定剂0.01～5份、抗氧剂0.05～3份。本发明中，采用双层EVA结构简化层压工艺、提升层压良率、降低成本投入；下层改性胶膜添加改性中空结构纳米粒子，具有高透光特性，可用于双面电池组件；纳米粒子呈电中或电负性，PID测试时可以形成电场屏蔽，加强PERC电池背面氧化铝负电场的钝化作用；纳米粒子独特的中空结构可大量吸附电池或玻璃中的钠离子、钾离子等，进而显著提升组件抗PID作用。
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公开(公告)号：CN113938099A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111080931.3
申请日：2021-09-15
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H02S40/34
摘要： 一种具有疏水和散热功能的光伏接线盒包括接线盒和安装在接线盒内的二极管，所述接线盒的外侧设有疏水层，疏水层表面的微观结构为乳凸状结构，所述接线盒的内壁内掺杂有若干种导热粒子，接线盒的内壁上嵌设有两块左右对称的导热铜片，所述二极管的正极和负极分别与第一导热铜片和第二导热铜片相连。本光伏接线盒在接线盒表面增设了一层疏水层，通过疏水层与接线盒表面水滴之间大于150°的接触角，使水滴不会停留在疏水层表面，增强了接线盒的疏水性能，同时本光伏接线盒通过导热铜片和由多种导热粒子组成的导热通路，可以将接线盒内部的热量及时地向外排出，大大提高了接线盒的散热性能。
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公开(公告)号：CN112951935A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110134606.4
申请日：2021-01-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/068 , C09J123/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种双面电池组件，包括框架和自上而下依次叠层设于框架内的玻璃、上层胶膜、电池、下层胶膜、盖板。所述的下层胶膜的质量份组成如下：基体EVA树脂100份、改性纳米粒子0.1～30份、过氧化物交联剂0.01～2份、助交联剂0.1～5份、光稳定剂0.01～5份、抗氧剂0.05～3份。本发明中，采用双层EVA结构简化层压工艺、提升层压良率、降低成本投入；下层改性胶膜添加改性中空结构纳米粒子，具有高透光特性，可用于双面电池组件；纳米粒子呈电中或电负性，PID测试时可以形成电场屏蔽，加强PERC电池背面氧化铝负电场的钝化作用；纳米粒子独特的中空结构可大量吸附电池或玻璃中的钠离子、钾离子等，进而显著提升组件抗PID作用。
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